[参考译文] BQ34110：在 EOS 确定期间获得的奇怪结果

我们在主机侧使用 BQ34110、它仅在主机完全通电时供电。 我们需要使用主机启动模式、并且我们承认、在我们的情况下、这意味着我们需要在主机中收集几个"获知的电阻值"并在主机中做出决策。 最有可能的 EOS 决策将 基于 RCELL 变化率标准。

但是、不获得合理的值似乎仍然很奇怪？ 我们在启动前没有执行充电、因此到目前为止了解的电阻会有一些变化、但仍然是…Ω 最近运行：

EOSLearStatus()=> 0080 (SO LDONE)

EOSSTATUS1 = 00000000000008474E49000000002E3029005E00C60B (学习启动电压= 0x474E、学习停止电压= 0x4900、平均电流= 0x5E)

EOSSTATUS2 = 0005 (EOS 记忆电阻= 0x0500 = 1280m Ω)

一定是个  错误... 在哪里可以找到温度系数的电子表格？

尊敬的 Torgny：

请允许我在几天内回复您。 我需要与 FW 开发人员交谈、以确认您在此处看到的差异。

尊敬的 Torgny：

我与开发人员交谈、他们的回答是、如果您在 chg 期间计算的 Rcell 会发生变化、那么差异率就很重要了。

此处没有热敏电阻选择的电子表格。 该器件的首选热敏电阻是 Semitec 103AT。

您好、Batt、

我认为真正的问题不是差异，它所获得的价值根本不是合理的。

EOSLearStatus()=> 0080 (SO LDONE)

EOSSTATUS1 = 00000000000008474E49000000002E3029005E00C60B (学习启动电压= 0x474E、学习停止电压= 0x4900、平均电流= 0x5E)

EOSSTATUS2 = 0005 (EOS 记忆电阻= 0x0500 = 1280m Ω)

该数据表明 、电池的 ESR 为1280 m Ω。  实际值应更多地类似于100m Ω！ 此外、有关电压的额外 EOSSSTATUS 数据表明、可能 是由于学习启动电压= 18.254V 且学习停止电压= 18.688V 而导致配置错误。 它是一个3节镍氢电池。 使用 Voltage()函数可得到正确的值，但 EOS 函数报告的情况却截然不同。

第二个问题与热敏电阻无关。 它介绍了如何计算 EOS 算法可以用来补偿作为温度函数的 RCELL 偏差的温度系数。 但 我在另一个线程中找到了 Excel 工作表、因此我们现在将其保留。 根据 TRM 中的指令、当前系数为0。

您能问开发人员、是否有任何我可能错误配置的东西会解释 EOS 期间的关断电压读数和 RCELL 读数？ 配置数据闪存分压器寄存器(0x15A9)、Voltage()函数提供正确的读数。

此致、

/Torgny

尊敬的 Torgny：

让我再次与开发人员交谈。 同时、您能否发送您的 srec 以便我们查看您的设置？

您好、Batt、

我没有推荐。 但是这些是我认为与 EOS 函数相关的 DataFlash 设置、我已经使用对器件进行了编程：

抱歉、记忆放电时间0x4229的拼写错误应为500s、因为这是默认值(不过是很长的时间...？)

尊敬的 Torgny：

我与开发人员进行了核对。 如果学习负载发生变化、则 EOS 中的镍氢电池可能会产生误差、这是由于电池中存在迟滞。 一项建议是使用平均学习值来监测曲棍球杆的阻力增加类型。 请查看您是否可以这样做。

计划每四周左右读取一次读数。 因此、平均值计算似乎不是一个有用的解决方案、但 让我们忽略该变化。

主要问题是值远不及。 电阻是因数10关闭、电压值是因数4关闭。 必须存在其他问题。 当实际电池电压大约为3.8V 时、询问 EOSSSTATUS1 = 00000000000008474E4900002E3029005E00C60B (学习启动电压= 0x474E、学习停止电压= 0x4900、平均电流= 0x5E)的原因。  由于这是疯狂的、因此基于这些值进行的任何计算都肯定也是不正确的。

此致、

/Torgny