[参考译文] BQ24753A：使用双向电流开关的原因是什么？

我也不理解 Q3的方向。

正如我认为的那样、它用于在未连接适配器时为系统供电。

那么、不应该更换 Darin 和 Source 才能正常工作？

此致、Rasool

您好、Rasool、

Q3 (BATFET)的方向是、使反向栅极二极管从电池传导到系统、而不是另一个方向。  此架构仅支持降压模式充电、因此适配器的电压必须始终高于电池。  插入适配器后、SYS 将处于适配器电压、因此如果 BATFET 反向栅极二极管允许的电流从 SYS 流向 BAT、当我们想要终止充电时、将无法阻止此流。

此致、

Steve

您好、Steve、

感谢你的答复。

为什么 MOSFET 应该处于 Q1和 Q3的位置？

二极管而不是 Q1 和 Q3执行该任务吗？

此致、Ras

您好、Ras、

由于此器件上没有 OTG 模式(其中电源由适配器供电)、因此 Q1可替换为二极管。  是的、BATFET 也可以用二极管代替。  (请注意、NVDC 架构并非如此、但在该架构上、Q3 BATFET 可替换为二极管。)

但是、通常不会这样做、因为二极管上的功率损耗比导通 FET 大得多。  通常、FET 的 R_DSON 约为10m Ω。  肖特基二极管的压降可能约为300mV。  因此、即使在其中一个 FET 上具有6A 电流、导通 FET 上的压降也只有60mV、因此功率损耗约为1/5、这有助于提高热性能和效率。

此致、

Steve

您好、Steve、

请考虑将适配器的电源输送到系统/电池。 Q1电流流经 Q1的体二极管、MOSFET 的 RDS 为 NO。

此致、Ras