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器件型号：TPS22913 大家好、TI 团队、
有一个项目使用 TPS22913。 除垢电路如下所示：
由于 EN 为低电平、尽管5VDD 已就绪、但无法在 "5Vout"网络中构建5VDD；
然后 EN_LDO 为高电平、3.3V 在"5Vout"网络中构建；
3.将 EN 设置为高电平，5VDD 将通过 TPS22913，5VDD 将在"5Vout"网络上构建；
请帮助检查操作原则是否正确！！！
我发现数据表上有一个 MOSFET QOD。
如果 EN 为低电平、VOUT 引脚是否将被拉至接地？
如果 VOUT 被拉至接地、则如果 VOUT 与上述外部 LDO 搭配使用、TPS22913将被烧坏。 对吧？
非常感谢！
BR
十一
