尊敬的先生。
我的问题与此主题的内容有关；
我的客户申请 TPS51200 DDR3。 他们正面临着浪涌
VLDOIN 上的输入电流和 VO 引脚上的输出电流。 它们采用 TPS51200来实现 DDR3。
然后、他们尝试在 VLDOIN 和 VREF 引脚之间添加1欧姆电阻器
输入峰值从2.75A 降至0.688A。
因此、我想确认以下内容；
1.这种使用 TPS51200的方法是否没有问题？
2.如果没有问题、应在 VLDOIN 上估算压降
引脚？
3.就我个人而言，我认为 Trcking 的启动和关闭不是很好
DDR。 因为 DDR 内部具有初始化时间。
S3和伪 S5最好从未知 VTT 设置中退出
在 DDR 内部。 您对我的想法有何看法？
我希望得到您的建议。
此致、
H. Sakai
尊敬的钱圣。
非常感谢您的所有建议、很抱歉多次打扰您的 Jon。
我已经确认了客户的真实原理图。 很抱歉、我在前面的原理图中出错了。
它们通过1okm 电阻器将 VLDOIN 连接到 VDDQ。 电压降乘以负载电流
至少会发生这种情况。 他们说降低输入电流峰值是有效的。
采用这种电路是否没有问题？
再次抱歉！！
此致、
H. Sakai
尊敬的钱圣。
1A 电流是1.5V LDO 作为电压源的规格限制、不进行测量
VTT 输出电流。 存在输入电流。
下面是在 REFIN 和 VLDOIN 之间添加1欧姆电阻器的前一个步骤。
此外、在下面的后面添加了 REFIN 和 VLDOIN 之间的1 Ω 电阻器。
浪涌电流期间的 VLDOIN 电压将为0.182V (1.5 - 1*0.688)。
我想确保这种使用是可以接受还是不可以接受的。
如果可以接受、我想知道下降 VLDOIN 的可接受电压范围。
此致、
H. Sakai
尊敬的钱圣。
非常感谢您的所有建议。
他们尝试 在 VLDOIN 短接到 VDDQ 时、先开启 VDDQ 和3.3Vin、然后将 EN 引脚接至
利用 DDR3的/RESET 信号、但由于浪涌电流仍然较高、因此未成功。
因此、我想重新考虑添加1欧姆电阻器 VDDQ 和 VLDOIN 的方法。
您指出了2个项目。
1欧姆电阻器上的功率损耗
2.当1欧姆电阻器上出现压降时、VLDOIN 电压可能过低。
它们将放置更大的功率耗散1欧姆电阻器、#1可被清除。
2号重新分级、VO=0.75V 时、VLDOIN 上必须保持多少最小电压？
再次抱歉、但请提供您的建议。
此致、
H. Sakai
