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器件型号：TPS40057 你(们)好
SS 电容器是否有任何限制？ 可以将其设置为50nF 还是100nF？
此致、
本志本
你(们)好
SS 电容器是否有任何限制？ 可以将其设置为50nF 还是100nF？
此致、
本志本
Neal、您好！
感谢您的支持。
你是对的。 公式5显示了最小 tStart。
我们遇到这样的问题、即在释放 OC 后、Vout 无法在某些样本中恢复。 (请参阅以下波形)
SS 电容；33nF
时间 Div；200ms/dic
CH1 (黄色)；Vin 5V/div、Ch2 (蓝色)；Vout 1V/div
(对于某些样本，不会出现这种现象。 VOUT 在 OC 释放后恢复、并且存在 OCP 行为。)
如前所述、长 SS 时间会影响 OC 行为。(IC 将长时间休眠。)
那么、在本例中、我们如何计算不会发生睡眠行为的最大 SS 时间(tStart)？
(公式5只能计算最小 tStart。)
此致、
本志本
你(们) Neal
我有另一个结果显示了这种现象。
我们使用超过20A 的大负载电流进行测量。 则此现象(问题)已在 TI-EVM (TPS40055EVM)上重现。
请参阅以下波形。
>电路板条件：(某些组件在 TI-EVM 上已从默认值更改为默认值。)
L1更改为电感器时、其 Isat 大于30A。
CSS 更改为33nF。
>CH2：Vout、CH3：SS、CH4：Iout
SS 保持此电平。
我有一些问题。
1) 1)在异常行为(高于波形)下、SS 直到0V 才下降。 这是正常的吗？ (目前 CSS 为33nF)
2)在数据表中，它提到了 SS。
'当 VSS/SD 为 SS/SD 6 I 时、输出电压开始上升约0.85V。'
在发生 OCP 事件时、VSS 需要降低至低于0.85V 以进入"7软启动周期"模式？
3)即使 VSS 未降至0.85V 以下、它是否会进入此事件(7个软启动周期)？
如果您有任何意见，您能给我们提供什么建议吗？
此致、
本志本
