我有20块由 TPS560430芯片、2.1MHz PFM 版本供电的电路板。
其中13人在工作,7人不在工作。
所有20个电路板(PCB 和组件)同时完成。
下面的文件详细介绍了已尝试的操作。
似乎不工作的芯片具有击穿高侧和低侧 MOSFET 的能力。
我们为什么会遇到这个问题?我们如何解决这个问题?
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Neal、您好!
感谢你的答复。
我曾尝试移除 C41和所有负载、这不会改变任何东西。
L6的饱和电流为3A、Bourns SRN6045-100M。
比较工作组件和非工作组件, 在物理上我没有看到任何不同,所有 PCB、组件和 STM 组件都是相同的批次。
我清除了 PCB 板上的一个不工作组件和眼图检查、我没有看到任何不同。
5V 的正常负载小于100mA、或者对于24V 输入、10欧姆电阻对于输入侧不应成为问题。
与工作版本相比、我看不到 R51上存在纹波电流。
因此、我 有点奇怪的是、电流在非工作的 Assy 中流向了什么位置、
由于5V 负载通过标准独立电源进行了验证、
我的问题是、电流从 TPS560430芯片内部的 Vin 流向 GND。
我将尝试将470uF 电容器从输出侧移至输入侧、以进行另一次尝试、但我不认为这是原因、因为我的第一批 Assy 有100%的合格电路板、第二批 Assy 有13/20的合格电路板。
我曾担心 PCB 的堆栈、因为我们让芯片在两层 PCB 的不同负载下工作良好、堆栈或 GND 平面不应成为问题。
您好!
是的、这很奇怪。
1. VO 已升至5V,然后 Vin 保持5V 1秒。 除了 TPS560430、是否有任何其他负载连接到电源?
1秒后、Vo 突然下降。 您是否知道1秒后将运行什么? 在 Vo 上升至5V 后、连接到 Vo 并以1s 的电压运行的器件是否?
很明显、SW 波形是错误的。 它与 Vo 相同。 我认为您的测量不正确。 SW 是 IC 的引脚6、也可以将探针粘附到 C39或 L6的 SW 节点。
Neal、您好!
很抱歉耽误你的回答。
我回顾 了我所要求的原始文档(链接:http://e2e.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/TPS560430_EE959898CF63F08F_EN.docx)
如果我们看一下 C-1图片、比较同一批工作组件和非工作组件、我相信原理图和/或布局的设计应该是正确的、否则所有这些组件的问题都会在7/20时出现。
如果我们查看 C-1皮秒、如果我们使用 R51作为电流传感器、我们将看到对于不工作的组件、Vin 电压可能会下降到大约15~19V 电平(这是 EN 控制的关闭顺序点)、 这意味着此时、流经 R51的电流可能为(24-19) V 至(24-15) V / 10欧姆、约为0.5~0.9A。
让我们看一下 C-3图2、EN 已上拉、Vin 降至大约5V、这意味着 R51上的24-5=19V、这意味着大约1.9A 穿过 R51。
如果 TPS 芯片的内部 MOSFET 短路,Vin 和 GND 之间将有一个0.45+0.24欧姆的电阻(在12V 25C 时),请考虑 TPS 的温度应该会变高,Vin 只有大约5V,短路电阻可能会更高。 例如、例如1Ohm、这意味着如果有1.9A 电流通过这两个 MOSFET 流过 Vin 和 GND、则 Vin 和 GND 之间应该有大约2V 的输入。
TPS 芯片内部的 MOSFET 是否可能在饱和区中无法工作、从而导致此问题?
在哪种情况下、一些外部信号效应可能会导致短路? 1.9A 是大电流、但尚未达到电感器的 Isat。
BTW:负载侧由交流/直流电源供电进行测试、该电源在大约0.1A 直流的5V 电压下工作良好。