[参考译文] ISO5852S：用于交流的隔离式 MOSFET 驱动器 DSAT 连接

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：ISO5852S

我正在设计一个使用背靠背 MOSFET 控制交流负载的电路、如所附的图所示。

该电路显示了 DESAT 引脚在通常为直流电路的情况下的连接。这只能在半个交流周期内保护 MOSFET。我在第二个电阻器和二极管(虚线)中绘制了以观察交流波形的另一半、但这会将 DESAT 连接到 GND 下方、可能无法正常工作。

是否有人可以建议一种连接 DSAT 引脚的方法、以便它能够在交流总线周期的两个半周期内正确地保护 MOSFET 免受短路的影响？

谢谢、Ken

0 admin 6 年多前

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您好 Ken、

我对这种配置不太熟悉。乍一看、为了保护两个 FET、您可能需要实施次级形式的 SC 保护、例如分流电阻器方法。但我会做一些研究、并向您提出建议。

此致、

Audrey

0 admin 6 年多前

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Ken 您好、

我已经联系过该器件的专家、他们很快就会与您联系。

DSAT 通常在运行时预期漏极电压相对于驱动器接地基准正转换。在这种情况下、下侧漏极电压将变为负值、以指示 DSAT 故障。如果是这种情况、此连接可能无法正常工作。

当工程师回到办公室时、我会让她更熟悉 ISO5852S 评论。

此致、

0 admin 6 年多前

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谢谢 Richard、我还没有弄清楚这一点、因此我们很感谢您的帮助。

此致、

Ken

0 admin 6 年多前

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您好 Ken、

请查看此应用报告和此 TI 参考设计、我相信它们将在您的应用中为您提供帮助。我没有看到以这种方式使用 DESAT 电路、通常也看到了通过两个独立驱动器控制的这些类型的双向开关配置。

此致、

Audrey

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