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[参考译文] LM74502H-Q1:浪涌电流限制

Guru**** 2383340 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74502H-Q1, LM74502-Q1, LM74502EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1164480/lm74502h-q1-inrush-current-limit

器件型号:LM74502H-Q1
主题中讨论的其他器件: LM74502-Q1LM74502EVM

大家好、团队、

我的客户在其系统中使用 LM74502H-Q1、负载约为300uF、输出电压大幅下降、无法满足其要求。

LM74502H-Q1是否可用于软启动(浪涌电流限制)? 还是仅 LM74502-Q1更适合软启动? 请帮助澄清并解释详细原因。

2.如果他们使用这种方法来防止压降、是否有任何建议的 Rg 值和计算工具来帮助评估这一点?

驱动器功能在 LM74502-Q1和 LM74502H-Q1之间是不同的、两者之间还有其他差异吗? 比较表更好。

非常感谢。

此致、

李兰熙

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    您好、 Lanxi、

    对于浪涌电流限制、我们需要缓慢导通、因此 具有低栅极驱动强度的 LM74502-Q1是一个不错的选择。

      LM74502-Q1和 LM74502H-Q1之间只有栅极驱动强度不同

    使用100 Ω 至220 Ω 范围内的 Rg、并根据数据表中的公式(2)选择 Cdvdt。

    此致、

    Rakesh

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    您好、Rakesh、

    我的客户使用 LM74502-Q1样片替换其原始 PCB 中的 LM74502H-Q1、并获得异常测试结果、如下所示。

    Vgate 似乎很奇怪、它跟在 Vcap 之后、我不知道为什么。 您认为是否有助于检查 这种情况的发生原因? 或者为他们提供有关这些内容的调试指导、以便您进一步调查? 如果你能给我一些关于根本原因的粗略的想法~就可以了

    非常感谢。

    此致、

    李兰熙

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    您好、 Lanxi、

    您能否共享原理图

    什么是 Vin? 您能否增加 CVCAP 并再次检查。

    请分享分辨率更高的测试波形  

    此致、

    Rakesh

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    您好、Rakesh、

    Sch 如下所示:

    VIN 是电池、他们已验证测试结果与 VIN 电压无关。 此外、在它们增加 CVCAP 后、仍然没有改进。

    如果您需要更详细的波形、请尽快告诉我详细的引脚请求、以便您进行调查。

    非常感谢。

    此致、

    李兰熙

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    您好、Lansi Li、

    栅极驱动电压由电荷泵在内部生成。 由于 LM74502-Q1的栅极在启用时始终完全增强、因此栅极 SRC 电压将接近 VCP-VS 电压。 因此、您观察到的栅极电压纹波是预期的。  

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    您好、GD、

    您是要全面增强 LM74502-Q1栅极吗? 最好能给我详细解释一下为什么会出现这种纹波? 如您所见、数据表中的波形未显示纹波?

    非常感谢。

    此致、

    李兰熙

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    您好、Lanxi、

    让我捕获 EVM 上的波形、并向您提供详细的说明。  

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    Praveen、您好!

    非常感谢您能 在您有空的情况下提供帮助、他们需要知道原因并在这2天内修复此解决方案。

    非常感谢。

    此致、

    李兰熙

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    您好、Lansi Li、

    当栅极驱动器被启用时、LM74502-Q1的栅极驱动器由一个 PMOS 从内部连接到 VCAP。 对于 LM74502H-Q1、PMOS 电阻非常低、因此具有更高的栅极驱动强度。 因此、您可以预期 VCAP 上的纹波也会出现在栅极信号上。

    请查找在 LM74502EVM 上捕获的波形。 您还可以观察栅极信号上的 VCAP 纹波。

    需要更正以下数据表中的波形。 我们将在下一个数据表修订版中对此进行纠正。  

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    Praveen、您好!

    感谢您详细回复此问题、这可帮助我们理解。

    添加我的客户提出的另一个问题:您是否在内部评估过此电压纹波、它是否会影响 MOSFET 的驱动?

    非常感谢。

    此致、

    李兰熙

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    您好、Lanxi、

    电荷泵电压 V (VCAP)–V (VS)和 FET 栅极-源极电压将在12.4V 和11.6V 之间切换。

     几乎所有 N 沟道 MOSFET 都将在栅源电压大于10V 时得到完全增强。 FET 栅极电压的纹波不会出现问题。