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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/867899/lm5069-leakage-current-of-internal-zener-diode-12v-at-75degc
在我们的设计中、前端保护电路具有由 LM5069控制的 MOSFET 栅极。 在 LM5069中、内部齐纳二极管用于将 VGS 调节为12V。 我是否会在温度上升时获得齐纳二极管的泄漏电流、因为泄漏电流将影响 MOSFET 的栅极。 我们的环境温度约为85摄氏度。
Maharasi 您好、
12V 是内部齐纳二极管的典型钳位电压。 泄漏电流应在二极管开始钳制电压之前适用。 可能是、我没有回答您的问题。 您的担忧是什么？
BR、Rakesh
您好、Rakesh、
正如您所说的，我们需要在钳位前查看周期。 在未施加瞬态的正常运行期间、但在75摄氏度时、内部二极管的泄漏电流将是多少。
提前感谢、
马哈拉西帕拉马西文。
在正常运行时、二极管吸收所有电荷泵电流、即16uA (典型值)
数据表提到、在正常运行期间、为了将 MOSFET 保持在打开状态、16uA 电荷泵正在偏置栅极。 但您说的是、16uA 正由齐纳二极管标出。 请澄清。
马哈拉西帕拉马西文
当 MOSFET 完全导通时、栅极不需要电流来补偿栅极泄漏。 因此、电荷泵电流会被齐纳钳位分流。
感谢 Rakesh 为您提供的支持。
现在、很明显、在 MOSFET 栅极上升期间、电荷泵16uA 正在为栅极电容充电。 打开 MOSFET 后、齐纳二极管分流16uA 以保持12V 电压。 如果存在这种情况、内部齐纳二极管可能会出现错误行为、例如灌入大于16uA 的电流、这可能导致 MOSFET 进入线性区域。
在我们的设计中、在 GATE 和 IC GND 之间使用了将瞬态钳位到31V 的外部齐纳二极管、其泄漏电流会随温度的变化而变化(实际上是在测试期间看到的)。 因此、泄漏电流随着温度的升高而增加、导致 MOSFET 线性运行、这是由于长时间的功率耗散和 MOSFET 发生故障。然后、我们用另一个器件更改了齐纳二极管并进行了测试。 高温泄漏问题消失了。
在持续测试期间、我们再次看到 MOSFET 故障发生在未知时间、测试期间无法找到。 因此、我们将调试故障原因可能是什么。 以及 LM5069将所有情况视为故障的情况。 仅在特定时间内超出电流限值的行为被视为故障、甚至超过特定时间的功率限值也被视为故障。
此致、 马哈拉西帕拉马西文。
我们从未见过内部二极管存在此类泄漏问题。
关于外部齐纳二极管.. 选择具有最大值的零件 整个温度范围内的反向电流< 1uA。 最好从齐纳制造商处获取详细信息。
2. LM5069将电流限制和功率限制视为故障运行模式
我们使用的齐纳二极管 具有小于1uA 的反向泄漏电流@85摄氏度
我是否可以知道您是指反向电流还是反向泄漏电流？
并告诉我我我的电路是否有任何问题。
Rpwr = 18.2K 欧姆
Rsns = 1Mohm
使用的 MOSFET AUIRFS3107TRL (背靠背提供反向保护)
用于在栅极 MMSZ4717T1G 钳位的齐纳二极管
VIN = 28V
Iload = 20A
Cload = 2mF
TAmbient = 85摄氏度
Rthjc = 3.4W/degC (包括 MOSFET 0.4W/degC +散热焊盘1.3W/degC +散热器0.75W/degC +散热过孔0.92W/degC)
定时器电容器= 1.33uF
栅极电阻= 10欧姆
我们无法确定 MOSFET 发生故障的时间和原因。 如果您对这些信息有任何了解、请与我们分享。
此致、
似乎是 FET SOA 问题、而不是齐纳钳位问题。 您是否在栅极添加了软启动电路以支持2mF 负载。 ？
您是否使用设计计算器验证了您的设计？ 如果不是-请填写并发送给我进行审核。 可从 http://www.ti.com/product/LM5069/toolssoftware 获取
祝你新年快乐！！！！
我已填写了设计计算器并随附此回复。
如果您注意到任何问题、请查看并告诉我。
马哈拉西 P.
e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xls
祝你新年快乐...
FET SOA 裕度仅为0.1、必须大于1.1才能确保 FET 保护。 您在填写设计表时是否观看过培训视频？
如 LM5069数据表首页所示、您需要添加 dv/dt 启动电路。
您能否也共享您的原理图
