您好、Kari、
感谢您的回答。
施加47欧姆之前和之后的 EMI 数据如下。
请回答以下问题。
1.开关是否在 TPS2412内部发生？
2. 您认为在 TPS2312中引起噪声的原因是什么？
3. 为什么在施加47欧姆电阻时提高 EMI？
这是一个困难的问题、但我有一个客户请求。 请回答我的问题。
谢谢。
您好！
200MHz 下的 EMI 尖峰是由于电荷泵开关、电荷泵的每个开关周期都会从 Vdd 获取脉冲电流。
添加47 Ω 和去耦电容器有助于降低 EMI。
将去耦电容器放置在更靠近 IC 的位置将减少 IC 内部电荷泵消耗的尖峰电流环路。
在200MHz 下、放置一个小值电容器100nF (高频电容器)或者如果可能的话、最好放置一个10nF 和一个100nF 高频旁路电容器、以实现更好的 EMI。
此致、
Kari
您好、Kari、
客户再问一些问题。
如所附的测试结果所示、轻负载时的噪声较高。 (30W -噪声高、60W -噪声低)
什么会导致轻负载下的噪声？
2. 没有出现开关噪声的点的电流是多少？
3. 请告诉我是否有办法检查 IC 外部的开关现象。 (使用范围)
谢谢
您好 Downey、
我看到一封有关这一非常相同问题的电子邮件、并通过电子邮件详细回答了轻载 EMI 裕度问题的根本原因。
在轻负载条件下、如果最小负载电流(例如数据表中提到的10mA)、栅极将持续振荡开/关。 这是 由于线性稳压放大器尝试在 MOSFET 的输入/输出通过栅极上保持10mV 电压。 轻负载时、为了满足10mV 调节、Rdson 必须为10mV/I_Load。 负载电流为1mA 时、RDSon = 10mV/1mA = 10 Ω、为了实现如此高的 RDSon 值、栅源电压必须非常接近栅极阈值电压。 MOSFET Si7336ADP 的附加栅源电压与 Rdson 特性间的关系。 要实现10 Ω Vgs、必须非常接近 Vth (3V)。 如果未保持足够的负载电流、10mV 调节将会产生稳定性问题。
此致、
Kari。
