[参考译文] LMG1210：lmg1210

1.78MΩ 我正确理解这一点，在 PWM 模式下，死区时间使用 Rext=2 Ω 进行设置，大约为0.8ns。 不应发生击穿(除非接地反弹等)

 在独立模式下、必须在输入 LMG1210之前将死区时间设置为至少1ns (对于无击穿条件 m、除非接地反弹等)

 正确 ？

你(们)好

 所以您建议独立模式下的输出/输入都需要1ns 的延迟？

LMG1210最后具有1.5A 峰值电流源，H 和 L 输出端是否同时具有峰值电流源？

尊敬的 Jeff：

 我的错误是，我不是问传播延迟，而是问偏移。

因此、在 PWM 模式下、我的死区时间需要高于0.8ns、以免发生击穿

在 IIM 模式下、我的死区时间也需要高于1ms。

  现在，在数据表中，我们可以看到这些值是“典型”值。 最大值为3.4ns 和3.1ns

由于我在设计中使用全桥配置(因此2个 LMG1210控制器)、这是否意味着我的死区时间至少应为3.4ns (在 IIM 模式下)、在 PWM 模式下至少应为3.1ns (对于无击穿)？

您好！

 首先、要澄清的是、在具有最大电阻(1.78M)的 PWM 模式下、空载时输出的死区时间为0.8ns。 关键规格当然是-0.5ns、这意味着对于连接到空载输出的假设 FET、击穿时间可能为0.5ns。 我说过假设性的、因为实际上所有 FET 都会加载输出。 加载输出有增加有效死区时间的趋势、因为 LMG1210上的下拉电流(3A)高于上拉电流(1.5A)、这意味着下降时间比上升时间快。 这种不对称性实际上会增加死区时间、这会随着负载电容的增加而产生更大的影响、也是最小死区时间如此短的原因。 对于某些具有大栅极电容的应用、即使是最小死区时间设置也会导致使用足够大的有效死区时间。 对于小型 FET 应用、可能需要一些较小的额外死区时间来远离会导致击穿的负死区时间。  

作为一项实用建议、我建议您在实验室中设置您的系统、通过查看开关节点或查看栅极波形来查看有效死区时间、 然后调整死区时间控制电阻器、确保标称死区时间至少有效为2.3ns。 2.3ns 应足以校正 LMG1210器件的死区时间的任何变化。 (我从3.1-0.8数据表数字中得到这一值、作为"与典型值的最大偏差")如果在 IIM 模式下使用、我将具有至少3.4ns 的死区时间来校正最大变化。

Nathan

答案很好。

 最后一个问题是，我的 FET 具有7nC 的栅极电容(总计)，不同器件之间的偏差最大为30%

 我应该增加多少(如果有)死区时间。 您  可以确认、我正在使用1.5A 计算1.5ns (LM1210旁边具有足够的电容)

谢谢。