[参考译文] LMG1210：lmg1210

您好、用户：

感谢您深入了解 LMG1210。

在 PWM 模式下使用 LMG1210 (如 LMG1210数据表的第7.3.3节所示)时、死区时间由1210设置、以防止 HO LO 输出重叠并有助于防止击穿。 但是、如果在开关期间出现接地反弹或米勒导通效应、则系统中仍有可能发生击穿。

如果使用 IIM 或独立输入模式(如 LMG1210数据表的第7.4节所示)、则需要使用 HI 和 LI 来切换输出、并且死区时间需要由控制器设置。

每种模式都是独立的、与在该模式下运行的部件有关。 因此、数据表中的1ns 不匹配规格适用于 IIM、但0.8ns 死区时间规格适用于 PWM 模式。 因此、IIM 的不匹配包含在 PWM 模式的最小死区时间中。 IIM 中的不匹配不会增加最小死区时间。  IIM 中的不匹配包含在死区时间最小值中。 因此、在 PWM 模式下、可以实现更好的匹配规格。

这是否有助于回答您的问题？ 如果您有任何其他问题、请告诉我。

查看以下应用手册、了解更多详细信息

谢谢、

您好、用户：

正确、但在 IIM 中、输入/输出可能会重叠。 IIM 中的最小死区时间为0ns。

谢谢、

您好、用户：

感谢您的后续问题、

PWM 模式和 IIM 的传播延迟(输入到输出延迟)非常相似。 您可以在独立输入模式下使用 LI/HI、但 LI/HI 输入不需要延迟(除非 IIM 中需要死区时间)。

每个 LMG1210高侧和低侧驱动器输出(HO 和 LO)都能够提供1.5A 拉电流为栅极充电、从而实现快速上升时间；3A 灌电流用于栅极放电、从而缩短下降时间并有助于米勒效应。

请告诉我这是否有助于回答您的问题、并可以随时提出任何其他问题。

谢谢、

根据我的计算、该 FET 的20%上升时间大约为1.5ns、因此这将是一个很好的量来校正电容变化。

但是、由于输出的驱动强度会发生变化、因此可能会比这更重要一点。 由于下拉和上拉 FET 位于同一裸片上、因此它们保持与上拉电流的2：1比率大致相同、但实际电流会随温度和部件之间的不同而变化、因此上升和下降速度也会有所不同。 因此，上升和下降时间都可以从2/3标称值到4/3标称值，但上升和下降速度通常会在温度和零件间相互跟踪。 我将在示波器上查看上升和下降时间、然后分析更快、更慢的时间会发生什么情况。 或者、由于大多数变化将在温度范围内发生、因此在冷温度和热温度下运行电路并比较上升和下降时间也会很有帮助。

此致、

Nathan