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[参考译文] RF 项目中的 MOSFET 问题

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R070, LMG3410R150, LMG3410R050
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/868831/problem-with-mosfet-in-a-rf-project

主题中讨论的其他器件:LMG3410R070LMG3410R150LMG3410R050
尊敬的 TI:
我们需要具有以下特性的 GaN 或 SIC MOSFET:
 
-)它必须快速并且必须在100kHz 至3MHz 之间工作
 
-) VDS > 600V
 
-) RDS on < 200m Ω
 
我们将在推挽电路中将此组件与另一个组件一起使用、该电路连接到变压器的初级状态
以在变压器的次级状态下获得放大的方波。
 
您是否有一个可能的好解决方案?
 
请告诉我!
谢谢!
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    Ennio、您好!

    感谢您联系我们。 到目前为止、我们已将 LMG3410R050、LMG3410R070和 LMG3410R150作为 GaN 功率级解决方案提供。

    根据您的要求:

    1) 1)由于功率级内置有内部降压/升压转换器、因此最大频率受其运行限制、应低于1MHz。 此外、热耗散是最大开关频率的另一个限制因素-它取决于冷却方法和运行条件。

    2) 2)我们的器件的额定 VDS 最大为480V。 绝对最大额定值为600V、这意味着在短时间内即可在这种情况下正常运行(取决于运行条件)。

    3) 3)三个器件的 Rdson 分别为50欧姆、70欧姆和150欧姆、应满足此要求。

    您可以在器件的数据表中找到有关这些器件的更多具体信息、请访问 ti.com/gan、因为新的 GaN 器件将在此页面上发布。

    此致、

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    尊敬的张爱一:

    非常感谢您的反馈。

    如果我很清楚、就没有一个 TI 解决方案可以在高于1MHz 的频率下工作。 正确吗?

    请告诉我!

    此致

    Ennio

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    Ennio、您好!

    现在不是。 随着 具有更多功能的新器件的推出、请访问 ti.com/gan。

    此致、

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    尊敬的张爱一:

    非常感谢您的反馈。

    此致

    Ennio