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主题中讨论的其他器件:LMG3410R070、 LMG3410R150、 LMG3410R050尊敬的 TI:
我们需要具有以下特性的 GaN 或 SIC MOSFET:
-)它必须快速并且必须在100kHz 至3MHz 之间工作
-) VDS > 600V
-) RDS on < 200m Ω
我们将在推挽电路中将此组件与另一个组件一起使用、该电路连接到变压器的初级状态
以在变压器的次级状态下获得放大的方波。
您是否有一个可能的好解决方案?
请告诉我!
谢谢!