[参考译文] CSD13385F5：MOSFET 基础知识：该 FET 如何仅具有单向栅极-源极二极管？

您好、Carl、

TI 制造具有单端和背对背(您习惯看到的) ESD 保护二极管的 FET。 有关 B2B 二极管的示例、请参阅 CSD13383F4。 B2B 二极管的主要缺点是栅源泄漏电流要高得多。 这可能是电池供电系统的一个缺点、因为它可以在待机状态下更快地对电池放电。 对于单端二极管、需要注意的主要问题是可能导致栅源极二极管正向偏置的任何情况。 您可能会注意到、对于单端实现、内部栅极电阻 RG 通常更高(240欧姆)、这会在二极管正向偏置时限制电流。 如果内部栅极电阻不够、也可以添加外部栅极电阻器。 如果您的应用绝不会导致二极管正向偏置、那么您应该可以这么做。