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器件型号：UCD7138 主题中讨论的其他器件： UCD3138
在论坛期间、我将深入探讨有关"第三象限传导"的讨论、
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您好、Jongwan、
是的、正确的、就电流方向和栅极状态而言、第三象限操作类似于体二极管导通。
GaN HEMT 没有体二极管、因此该模式是由 CDG/CGS 偏置的栅极电压导致 的、该电压会在线性区域中打开 FET 并使漏极电压保持恒定。
在 LMG5200中 、该电压为2V。
因此、如果您在栅极关断时有电流从源极流向漏极、您可以将其等同于 具有2V 正向偏置的体二极管。 这种导通模式不是最佳的、并且希望通过尽快打开栅极来最大限度地减少这种情况、从而最大限度地缩短死区时间。
此致、
Alberto
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我可以发挥我的想象力、在第三象限自发传导开始后立即将这种打开栅极驱动的事件内部化-就像在二极管中一样-但不管怎样、电流从源极流向漏极。
在 MOSFET 中、增强型通道中可能存在对称性、可为电流创建低得多的阻抗路径、但不确定 GaN 是否如此。 因为、无论如何、VDS 都是负的。
那么、同步整流器如何在 VDS 为负的低导通损耗模式下运行？ 如果是这样、我猜测存在 具有极低 Vds 和+Vgs 的传输曲线、其行为与第一象限导通类似。
如果有这种模式的物理原理，我们将会大大放松：我们有几个设计盲目地遵循这种连接，而不是完全了解它的工作机制。
