主题中讨论的其他器件: BQ25910
尊敬的 Jeff:
我正在尝试使用 LMG1210来仿真3级飞跨电容降压。 我无法使用它来驱动顶部 MOSFET。 请查找随附的仿真文件。 驱动顶部 MOSFET (如电平转换器)是否需要任何特殊配置? 您能不能查看此问题并帮助我解决此问题。
谢谢
Srikamnthe2e.ti.com/.../Three_5F00_Level_5F00_EPC8010_5F00_V1.3.TSC
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尊敬的 Jeff:
我正在尝试使用 LMG1210来仿真3级飞跨电容降压。 我无法使用它来驱动顶部 MOSFET。 请查找随附的仿真文件。 驱动顶部 MOSFET (如电平转换器)是否需要任何特殊配置? 您能不能查看此问题并帮助我解决此问题。
谢谢
Srikamnthe2e.ti.com/.../Three_5F00_Level_5F00_EPC8010_5F00_V1.3.TSC
您好 Srikamnth、
感谢 e2e 解决这个 TINA 仿真问题、
我正在调查这个问题、现在我认为当我移除驱动飞跨电容的 VG3并使高侧半桥上的输入互补、从而使它们不会重叠时、一切都在正常切换。
我复制粘贴的 VG8 (反向连接它)并将其称为 VG7以实现互补的高侧半桥输入(当我在调试此原理图时尝试单独运行每个半桥时、低侧半桥工作正常)。
VG3使自举 VIN_3 (相对于 VC+)的电源振荡和关闭、因此我将其删除。 该电压 VCBST1在5V 时应保持相对稳定。
我随附了更新的 TSC。 如果您有 questions.e2e.ti.com/.../Three_5F00_Level_5F00_EPC8010_5F00_V1.3_2D00_2_5F00_removed-VG3-updated-VG7.TSC、请告诉我
谢谢、
尊敬的 Jeff:
感谢您的善意回应。 但我仍有以下问题。
您已移除驱动飞跨电容器的 VG3。 它是否与栅极驱动输出脉冲有任何交互? 此外、它不提供自举 VIN_3 (与 VG3无关)、因为反向有一个二极管
在此应用中、我以大于0.5的占空比运行转换器、这需要高侧半桥栅极脉冲的重叠。 请告诉我这种重叠是否会导致任何问题。
每个半桥都具有其高侧(HO)电平、但不具有低侧(LO)。 它是否会影响驱动 MOSFET T2的高侧半桥的 LO?
谢谢
尊敬的 Jeff:
您正处于飞行电容器上。 但是、我连接直流电压源的原因是为了保持电容器上输入电压的一半、因为没有控制器来控制飞跨电容电压。(我 最近开始使用 TINA、实现控制需要花费大量时间 我)
我尝试移除 VG3、我能够看到所有栅极脉冲、但顶部器件仍然无法切换。 此外、底部半桥上的引导电容电压增加了5V 以上。
您能给我一个仿真3级 Fly 电容降压转换器、它具有任何类型的栅极驱动器和开关、可加快我们的设计过程。
谢谢你
您好 Srikanth、
我只是想更新您的信息、并告诉您、我发现我们有三级电池充电器降压器件 BQ25910。 您是否考虑过此器件? 它用于什么应用?
但是、没有用于查看控制波形的仿真工具、但是数据表和产品文件夹包含所有工作原理和设计文件、用于使用 BQ25910启动和运行3L 转换器。 还有一个用于效率计算的 webench 模型以及一个 Excel 计算工具,可帮助您进行一些基本的3L 计算。 如果您对此材料有任何疑问、请告诉我、以便我可以进一步帮助您进行 LMG1210仿真。
谢谢、
尊敬的 Jeff:
我们计划希望获得高功率和开关频率。 因此、我们无法将 BQ2590用于我们的应用。
我还在尝试各种其他栅极驱动配置、这些配置无法在公开论坛中分享。 其中一种配置具有来自顶部 HO 的栅极脉冲、但器件无法切换。 我能否获得直接联系方式(电子邮件)以共享 SPICE 仿真。 或者、您也可以通过电子邮件联系我:srikanthyerra5@gmail.com
谢谢
斯里卡纳特