[参考译文] BQ25713：效率数据

嗨、Toshiro San、

有关系统效率、请参阅数据表中的图4、5、6和7。 具体而言、请参阅1S 配置的 VOUT = 3.7V 曲线。  

通过添加客户特定 PMOS BATFET 的 I2R 导通损耗、可以直接从系统转换器效率(如上图所示)得出充电效率数据。 因此、充电器的效率是系统效率@充电电流减去由于外部 BATFET RDSON 而导致的充电电流时的 I2R 损耗。  

例如、在5V 输入电压、3.7VOUT、1A 输出电流的情况下、系统效率为~92%。 假设充电电流为1A、BATFET RDSON 为20m Ω。  

新效率可通过以下公式计算：

(1/eff_new)=(1/eff_prev + Ploss_new/Poout)。  

在我们的示例中、新损耗= ICHG^2 x RDSon = 0.02W。 新效率= 91.54%。

此致、

Joel H