该 IC 具有可调节死区时间功能、它提到当 INA 和 INB 从高电平变为低电平时会出现死区时间、反之亦然。 然而,这种情况并未发生。 我在 DT 引脚上连接了一个100K 电阻器、并在其两端连接了一个100nF 电容器。 我正在接收一个波形、在该波形中、只有当 INA 从高电平变为低电平并且 INB 从低电平变为高电平时、才会观察到1us 的死区时间。 当情况逆转时,我没有得到所需的死区时间。
我附加了显示死区时间变化的图像。 这仅适用于一种情况、即当 INA 从高电平变为低电平、INB 从低电平变为高电平时。 我是否遗漏了什么?
此外、我还在 VCC、VDDA 和 VDDB 的15V 下执行此测试。 捕获此波形时给出的直流链路电压也是0V。
