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[参考译文] UCC21520:死区时间问题

Guru**** 2538955 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/814100/ucc21520-dead-time-issue

器件型号:UCC21520

该 IC 具有可调节死区时间功能、它提到当 INA 和 INB 从高电平变为低电平时会出现死区时间、反之亦然。 然而,这种情况并未发生。 我在 DT 引脚上连接了一个100K 电阻器、并在其两端连接了一个100nF 电容器。 我正在接收一个波形、在该波形中、只有当 INA 从高电平变为低电平并且 INB 从低电平变为高电平时、才会观察到1us 的死区时间。 当情况逆转时,我没有得到所需的死区时间。  

我附加了显示死区时间变化的图像。 这仅适用于一种情况、即当 INA 从高电平变为低电平、INB 从低电平变为高电平时。 我是否遗漏了什么?

此外、我还在 VCC、VDDA 和 VDDB 的15V 下执行此测试。 捕获此波形时给出的直流链路电压也是0V。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Atharva:

    感谢您的提问。 我在高功率驱动器组的应用团队工作。

    DT 引脚对布线可能非常敏感。 我们建议将 RDT 和去耦电容器保持非常靠近 IC、从而更大限度地减小此电路的环路面积。 由于该引脚尝试将自身调节至0.8V、因此100nF 电容器也可能过大。 请尝试一下2.2nF 到10nF 之间的较小值、看看这是否有助于解决此问题?

    如果这没有帮助、您能否共享原理图、布局和探测配置、以便我更好地帮助诊断此问题?

    如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗? 如果没有、请随时提出更多问题。

    谢谢、此致、

    John