[参考译文] LMG1205：RE：LMG1205：使用外部电源运行 LMG1205以实现100%占空比

尊敬的 Mike：

很抱歉与上一个主题混淆。 感谢您关注 LMG1205。 我在高功率驱动器组的应用团队工作、可以帮助您解决问题。

我不知道另一个线程中说了什么以及哪些选项是可行的。

对于100%占空比运行、您将需要以开关节点为基准的某种隔离式电源或电荷泵电路。 正如 Don 所说、eGaN FET 对 EOS 非常敏感、因此我建议使用预调节电路来确保该隔离轨保持在5V。 这还将减少 LMG1205中内部5V 钳位上的应力。

本文介绍了使用 SN6505B 和 LP2981-5.0的5V 隔离式电源、以生成稳定的5V 电压轨。 此电路应满足您的100%占空比要求。

http://www.ti.com/lit/an/sbaa268a/sbaa268a.pdf

如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗？ 如果没有、请随时提出更多问题。

谢谢、此致、

John

尊敬的 Mike：

这些连接看起来正确；+5V 连接到 HB、数字 GND 连接到 HS、直接连接到 C194。

如果您担心隔离式电源和内部自举二极管如何相互作用、可以通过在 C194上放置另一个阳极二极管和在 HB 上放置阴极来隔离内部自举二极管。 隔离式电源仍将直接放置在 C194两端。

为了减少放置在开关节点上的寄生电容、必须确保此电路的布线区域保持低电平。

如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗？ 如果没有、请随时提出更多问题。

谢谢、

John

尊敬的 Mike：

感谢您的回复、我与 John 合作、并将尽力提供帮助。

正确的做法是、如果存在接地反弹或自举电流最高时在上电期间、您可能必须将限流电阻与输出串联、以使 HB 保持在合理的限值内。 标准自举注意事项仍然适用、因为接地弹跳会增加自举电压、这会对高侧电源造成压力。 但是、由于存在隔离电源、高侧 UVLO 启动延迟将不再存在。

如果使用100%占空比、则 VDD 静态电流将继续消耗。 该电流由自举电容器提供。 随着时间的推移、自举电容器将会耗尽。 只要 VDD 电压保持在可接受的水平、就可以实现100%占空比。 增大自举电容器的尺寸会增加存储的电荷、这会增加可实现100%占空比的持续时间。 如果需要无限高侧100%占空比，并且在 VDD 电压低于可接受的驱动电平之前不能使用99%占空比定期补充 VDD 电压， 或低于 VDD UVLO 阈值时、高侧驱动器需要单独的隔离式电源、该驱动器需要能够根据自举电容器的较大值持续提供电流。

如果您有任何疑问、请告诉我！

谢谢、

尊敬的 Mike：

很抱歉、混淆了、但上图中绘制的二极管位于错误位置。

我打算按照下面的方式添加二极管。 我还绘制了内部自举二极管、以帮助显示该阻断二极管的作用。

谢谢、

John

谢谢 John、

有道理。  我现在将把它标记为关闭。  感谢你的帮助。

此致

Mike