[参考译文] UCC27712：使用不带低侧 FET 的高侧驱动器

您好、Silvano、

感谢您关注我们的器件、我叫 Mamadou Diallo、我将帮助解决您的问题。

正确的做法是、通过自举电路为高侧 FET 供电将对您的设计产生占空比限制、因为自举电容器必须在每个高侧 FET 关断时间补充这一事实使得应用在高占空比下不工作。

尽管如此、您似乎正在寻找专用高侧驱动器(常开应用)、该器 件可以实现这一目标、但它需要使用持续提供专用隔离电源为高侧 FET 提供偏置。 SN6501与小型变压器的组合可为 HB-HS 提供足够的偏置电压。

下面介绍了如何实现这一点。

如果您有其他问题、请告知我们、如果解决了您的问题、请按绿色按钮。

此致、

-Mamadou

Silvano、您好！

我还与 Mamadou 合作、为半桥驱动器提供支持、可以就您的问题发表意见。

如您所述、自举电路可在非同步降压中工作、但也有一些重要的注意事项。 当 HS 节点转换为接地时、自举电容器充电。 如果电感器中的电流强制 HS 节点处于低电平并在所有负载条件下传导二极管、则具有低侧二极管整流器的降压转换器将具有此情况。 在一些轻负载设计中、如果电感器中的能量存储不足以完全转换开关节点、开关节点可能不会转换为接地。

以获取有关振铃的注释。 我假设您在打开高侧 MOSFET 时指的是振铃？ 请确认。

高侧导通期间、降压功率级会出现电压尖峰和振铃。 许多应用中的开关节点将具有导通尖峰和振铃、HO 驱动器输出将在以接地为基准时显示此振铃。

您是否使用差分电压探头检查了 HO-HS 栅极驱动电压以确认高侧驱动信号？

有多种方法可以减少开关节点和高侧栅极驱动上的振铃。 导通振铃是由高侧导通和低侧二极管反向恢复引起的。 在二极管恢复期间、有高电流流入电路寄生电感。 使用更快的恢复、软恢复二极管有助于显著减少这种振铃。 向开关节点添加缓冲器可降低 dV/dt 并抑制振铃。 此外、增大高侧栅极驱动导通电阻还可以减小开关节点 dV/dt 和振铃。

请确认这是否能解答您的问题、或者您可以在主题中发布其他问题。

您好、Silvano、

感谢后续行动。

要回答您的问题、高侧 FET 上的振铃不一定是在没有低侧驱动器的情况下使用 UCC27712的结果。

即使使用高侧和低侧、也可能会出现振铃。 如我 Richard 所说、振铃在很大程度上取决于许多因素、包括 dv/dt、二极管反向恢复时间、PCB 布局或驱动器输出与栅极之间的布线长度等。  

高侧 FET 以开关节点 HS 为基准、因此任何振铃都可能在高侧 FET 栅极上引起振铃。

正如 Richard 所建议的、我首先要使用差分探针检查 HO - HS 的完整性(使用小栅极电阻器作为起点) 为了确保实际是否发生任何振铃以及是否将栅极电阻增大到22欧姆、您之前需要记录这两种情况下的振铃量。

请按绿色按钮确认您的问题是否得到了解答、如果您有其他问题、请告知我们。

此致、

-Mamadou

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