你(们)好
我们将 TPS51200用于 SO-DIMM DDR4卡(8Gb)。
我们在非跟踪模式下使用51200、EN 引脚由 MCU 控制。 VDDQ_1V2和 VTT_0V6。 原理图是指数据表第8.3.5节的图32 (LDO 配置)。以下是一些要咨询的问题。
在这种情况下、软启动时间(Vo 的铰接时间)是多少? 似乎无法调整它? 我们的 VDDQ_1V2斜升时间为 1.32ms、在 VDDQ 稳定后、EN 被 MCU 激活。
2.如何理解第7.3.4节"软启动功能不仅在 GND 到 REFOUT 电压之间工作、而且在 VLDOIN 到 REFOUT 电压之间工作。" 红色突出显示的单词的含义是什么? 我认为 VLDOIN 对应于 Vo、而不是 REFOUT...
3.何时需要使用图33 (LFP 模式)而不是数据表中的图32? 在我看来、LFP 模式总是更好的、因为它降低了 VOSNS 上的噪声。
我知道51200提供+/- 2A VTT 电流。 但是,我们不能确定一个51200是否足以支持一个内存卡。 是否有任何方法估算 VTT_0V6电流(灌电流和拉电流)?
非常感谢,度过了一个愉快的周末!