LM5117具有内部高侧和低侧驱动器、可驱动 HO 和 LO 输出。这需要外部自举。无需使用 LMG1205。但是、由于 LMG1205的高阻抗200kOhm 输入电阻限制了该引脚中的电流、因此您可以连接这两个引脚。如果要将 LMG1205连接到 LM5117的输出、可以将 LM5117上的 HO 连接到 LMG1205上的 HI (同样、也可以将 LM5117上的 LO 连接到 LMG1205上的 LI)。 LM5117的 PGND 引脚需要与 LMG1205 VSS 共享、因此不需要电平转换器。 LMG1205上的 Li 和 HI 可高达14V。确保 LMG1205靠近 EPC2020以降低环路电感。 LMG1205的示例布局可在 LMG1205数据表的第10.2节中找到。

请告诉我、这是否能解答您的问题、或者您还有其他问题、

谢谢、

0 admin 6 年多前

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您好、利兴、

感谢您的建议、我们将使用 LMG1210。由于自举概念、LM5117 HO 引脚的输出电压将高于 LMG1205 HI 引脚的输入电压范围。因此、我将 LM5117的 SW 引脚接地。这是正确的方法吗？ (随附原理图)

0 admin 6 年多前

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尊敬的 Jeff：
感谢你的答复。
因此、根据您的建议、我将使 LM5117的 HB 引脚保持断开状态(即移除自举电容器)、并且 LM5117的 SW 引脚将按照 LM5117数据表中给出的应用图进行连接。这是正确的方法吗？

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2536800 points

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您好、Sudhanshu、

您可以移除 LM5117上的自举、但您需要为高侧驱动器提供电源。您可以将 VCC 连接到此电源的 HB、软件将如您所说那样连接到 VSS。这有道理吗？

谢谢、

0 admin 6 年多前

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您好、Sudhanshu、

您还可以考虑 LM5141电流模式控制器、因为它具有更适合 EPC GaN FET 的5V 栅极驱动振幅。对于自举二极管、使用开关二极管代替肖特基二极管、以降低因 SW 负电压导致自举轨过充的可能性。

LM5117的接地 SW 的缺点是自适应栅极驱动时序会受到影响、并且还会针对预偏置启动和二极管仿真模式进行过零电流检测。

此致、
Tim

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] LM5117：在我的设计中，我使用 EPC2020 eGaN 作为带有 LM5117同步降压控制器 IC 的电源开关。因此、为了驱动这些 GaNFET、我希望将外部栅极驱动器 LMG1205连接到 LM5117同步降压控制器 IC。执行此操作的正确方法是什么？行动