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[参考译文] WEBENCH®︎工具/LM3409HV:LM3409HV &6A 负载

Guru**** 2551110 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3409HV, LM3409

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

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器件型号:LM3409HV
主题中讨论的其他器件: LM3409

工具/软件:WEBENCHRegistered设计工具

您好!

我尝试使用 LM3409HV 驱动6A 负载、但它不起作用。 其中一个器件已更换、然后在4A 负载下工作。 对于6A 负载、我使用的是40m Ω 感应电阻器 R43 (请参阅随附的原理图)。 该器件是否能够支持6A 负载? 如果是、请查看我的原理图并告诉我必须对其进行的更改。

谢谢、

Asif Khan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Asif:

    您能否附加原理图或通过电子邮件将其发送给我。  我将发送一封电子邮件、以便您知道将其发送到何处。  我还需要知道输入电压范围、输出电压和范围。

    0.040欧姆可实现6.15A 峰值。  此稳压器调节峰值电流、以获得为您的设计执行所有计算所需的平均值。  电感器的额定电流是否为您尝试运行的峰值电流。  它还需要裕量。  这是 PCB 上的新设计还是经过修改的电路板?

    如果电路是为此而设计的、此器件可支持6A 负载。

    高电流运行。  P 沟道 MOSFET 选择、开关频率和输入电压将决定一些因素。  栅极电荷越高、VCC 电容器连接应移至 CSn 而不是 Vin、请参阅数据表中的以下内容:

    "考虑 Q1的栅极电荷很重要。 电压从标称电压增加到其标称电压时的变化
    最大输入电压、COFT 架构将自然地增加开关频率。 主要噪声
    开关损耗由输入电压、开关频率和 PFET 总栅极电荷(Qg)决定。 。
    LM3409/09HV 必须从 Q1的输入电容提供并移除电荷 Qg、以使其导通和关断。 这种情况
    在更高的开关频率下更常见、这需要来自内部稳压器的更多电流、
    从而增加内部功耗、并最终导致 LM3409/09HV 进行热循环。 对于 A
    在给定的工作点范围内、减少这些开关损耗的唯一有效方法是最大程度地减小 Qg。
    一个良好的经验法则是限制 Qg < 30nC (如果整个开关频率保持在300kHz 以下
    则可以考虑较大的 Qg)。 具有小 Rds-on 和高额定电压的 PFET 的情况下、可以使用该器件
    要求、可能别无选择、只能使用 Qg > 30nC 的 PFET。
    当使用 Qg > 30nC 的 PFET 时、旁路电容器(CF)不应连接到 VIN 引脚。 这将会
    确保通过 RSNS 的峰值电流检测不受 PFET 输入电容充电的影响
    这可能会导致峰值检测比较器误触发。 相反、CF 应该是
    从 VCC 引脚连接到 CSn 引脚、这将导致 VCST 中的较小直流失调电压、最终导致 ILED
    但是、它可以避免有问题的误触发。
    通常、应尽可能选择 PFET 以满足 Qg 规格、同时最大程度地减小 Rds-on。
    这将最大限度地降低功率损耗、同时确保器件在整个工作范围内正常工作。"

    此致、

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    尊敬的 Asif:

    以下是根据原理图进行的设计计算:

    TOFF = 2.28us

    dutynom = 77.8% 、不包括损耗

    电感纹波= 1.14A (实际值会更高、因为您使用的电感器将达到饱和状态、并且比规格低30-40%)

    IPEAK = 6.57A

    40 m Ω 电流感应电阻器的 IPEAK = 6.15A

    40 m Ω 电流的平均电流= 5.58A (由于电感器饱和、该电流将更低)

    ton = 7.99us

    Fsw = 97KHz

    您使用的 MOSFET 太小。  当 MOSFET 处于25°C 时、6A 时的电阻为0.30欧姆、占空比为80%时的功耗为8.6瓦。  它会随着温度的升高而变得更糟。  在25°C 时、它的导通电阻(0.30欧姆* 6A)= 1.8V 时、也会产生1.8V 的压降。  当 MOSFET 处于150C 时、导通电阻将加倍。

    电感器可能会工作、但计算变得更加困难、并且可能会随着温度变化而出现电流漂移。

    具有故障 IC 的两个电路板是否也损坏了 MOSFET?  如果 MOSFET 以这种方式受损、IC 也很可能发生故障。

    电感器应改变、MOSFET 和电流感应电阻器应改变。  我不知道原理图的其余部分是什么样子的、例如续流二极管等

    此致、

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    尊敬的 Asif:

    我将关闭此 e2e、因为我们将通过电子邮件进行通信。

    此致、