[参考译文] WEBENCH®︎工具/LM3409HV：LM3409HV &amp；6A 负载

尊敬的 Asif：

您能否附加原理图或通过电子邮件将其发送给我。  我将发送一封电子邮件、以便您知道将其发送到何处。  我还需要知道输入电压范围、输出电压和范围。

0.040欧姆可实现6.15A 峰值。  此稳压器调节峰值电流、以获得为您的设计执行所有计算所需的平均值。  电感器的额定电流是否为您尝试运行的峰值电流。  它还需要裕量。  这是 PCB 上的新设计还是经过修改的电路板？

如果电路是为此而设计的、此器件可支持6A 负载。

高电流运行。  P 沟道 MOSFET 选择、开关频率和输入电压将决定一些因素。  栅极电荷越高、VCC 电容器连接应移至 CSn 而不是 Vin、请参阅数据表中的以下内容：

"考虑 Q1的栅极电荷很重要。 电压从标称电压增加到其标称电压时的变化
最大输入电压、COFT 架构将自然地增加开关频率。 主要噪声
开关损耗由输入电压、开关频率和 PFET 总栅极电荷(Qg)决定。 。
LM3409/09HV 必须从 Q1的输入电容提供并移除电荷 Qg、以使其导通和关断。 这种情况
在更高的开关频率下更常见、这需要来自内部稳压器的更多电流、
从而增加内部功耗、并最终导致 LM3409/09HV 进行热循环。 对于 A
在给定的工作点范围内、减少这些开关损耗的唯一有效方法是最大程度地减小 Qg。
一个良好的经验法则是限制 Qg < 30nC (如果整个开关频率保持在300kHz 以下
则可以考虑较大的 Qg)。 具有小 Rds-on 和高额定电压的 PFET 的情况下、可以使用该器件
要求、可能别无选择、只能使用 Qg > 30nC 的 PFET。
当使用 Qg > 30nC 的 PFET 时、旁路电容器(CF)不应连接到 VIN 引脚。 这将会
确保通过 RSNS 的峰值电流检测不受 PFET 输入电容充电的影响
这可能会导致峰值检测比较器误触发。 相反、CF 应该是
从 VCC 引脚连接到 CSn 引脚、这将导致 VCST 中的较小直流失调电压、最终导致 ILED
但是、它可以避免有问题的误触发。
通常、应尽可能选择 PFET 以满足 Qg 规格、同时最大程度地减小 Rds-on。
这将最大限度地降低功率损耗、同时确保器件在整个工作范围内正常工作。"

此致、

尊敬的 Asif：

以下是根据原理图进行的设计计算：

TOFF = 2.28us

dutynom = 77.8% 、不包括损耗

电感纹波= 1.14A (实际值会更高、因为您使用的电感器将达到饱和状态、并且比规格低30-40%)

IPEAK = 6.57A

40 m Ω 电流感应电阻器的 IPEAK = 6.15A

40 m Ω 电流的平均电流= 5.58A (由于电感器饱和、该电流将更低)

ton = 7.99us

Fsw = 97KHz

您使用的 MOSFET 太小。  当 MOSFET 处于25°C 时、6A 时的电阻为0.30欧姆、占空比为80%时的功耗为8.6瓦。  它会随着温度的升高而变得更糟。  在25°C 时、它的导通电阻(0.30欧姆* 6A)= 1.8V 时、也会产生1.8V 的压降。  当 MOSFET 处于150C 时、导通电阻将加倍。

电感器可能会工作、但计算变得更加困难、并且可能会随着温度变化而出现电流漂移。

具有故障 IC 的两个电路板是否也损坏了 MOSFET？  如果 MOSFET 以这种方式受损、IC 也很可能发生故障。

电感器应改变、MOSFET 和电流感应电阻器应改变。  我不知道原理图的其余部分是什么样子的、例如续流二极管等

此致、