[参考译文] LM25116：请帮助查看设计，使用了不同的电感和 MOS

尊敬的 Yue：

以下是有关原理图的一些注释：

1. 无需 HO 和 LO 栅极电阻器-只需使用与引导电容器串联的电阻器来管理高侧 FET 导通。
2. 考虑将 CSD18563Q5A 用于低侧 FET、因为它具有较低的 Rds-on。
3. 将引导电容器更改为100nF -更适合启动。
4. 切换缓冲器 R 和 C 位置(将电阻器连接到 GND、更适合散热、更容易进行电压测量以计算功率损耗)。
5. 使用 LM25116快速入门计算器(可从产品文件夹下载)检查补偿值。

此致、

Tim

Tim、

感谢您的回复。 很抱歉反馈延迟。

下面是根据您的建议更新的原理图，请仔细检查，谢谢。

e2e.ti.com/.../8540.POWER.pdf 

可能需要您确认以下几点：

  CS 和 CSG 之间的一个额外电容器 C31

不同 的电感、使用了9、2uH、但参考设计是6uH、您认为这会是个问题吗？

3.您提到" 只需使用一个与引导电容器串联的电阻器来管理高侧 FET 导通。" ，您是否会建议此串行电阻器的值？

补偿值与我们的 EVM 设计相同。 由于输入、输出是相同的、这些是否可以不进行修改而保持？ 谢谢。  

关于 VCCX、有一点不清楚。  那么、要驱动 CSD18537，最好将 VCCX 接地以启用 LM25116的内部 VCC 轨，对吧？

Tim、

感谢您的回复。 下面是他们的两个选项、您认为哪一个更好？ 这不是他们的第一个设计。 他们希望与他们的旧产品兼容。

1.更改了一个可以满足 Vgs 要求的 MOS、保留 C30。

或将 C30更改为0Ω Ω 电阻接地

如果1更好、您能推荐合适的 TI MOS 吗？ 谢谢。