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器件型号：LMG1205 我们一直在 伺服驱动器(逆变器)中使用 LMG1205YFXR、并在驱动 EPC GaN FET 时遇到一些问题。 本产品的额定工作电压为80Vdc、但一些高侧晶体管会随着电流升高而燃烧、并在80Vdc 下工作。
我们使用一个5 GS/s、500 MHz BW 示波器和超短校准高带宽探针检查了 VDS 和 Vgs 电压、并在10ns 时间范围内观察到一些有趣的行为。 请检查以下捕获：
可以看出、 当电流离开驱动器时、高侧电压会在高侧关断期间发生明显的过冲。 我们观察到该电压高达100V (仅在 LMG1205的最大绝对额定值范围内)、但仅在< 5ns 的时间内、栅极驱动器一直可靠地工作。
我们所使用的晶体管额定电压为120V、耗散良好、采用了布局的最佳实践、我们非常确信它们不会出现故障。
但是、我们想知道您对应用于栅极驱动器的极短脉冲的影响有何看法。 它们是否会导致半桥意外关断(和击穿)？ 这可能是 bootsrap 电路的问题吗？
此外、 在低侧关断期间可以观察到明显的负 Vgs 电压。 由于这里的关断栅极电阻器是一个0 Ω 跳线、我们担心施加到栅极驱动器的"灌电流"输出的负电压、但同样是在极短的时间内。
我们想知道你的意见，我们愿意听取任何意见。 您认为其中任何一种可能导致故障吗？
提前感谢。
