[参考译文] ISO5852S：去饱和未激活电压高于1V

您好 Harrie、

乍一看、由于 IGBT 或 MOSFET 关断、导致电容器充电至阈值电压以上、因此可能会出现一些反向电流。 一种可能性是将 R226增大到1kOhm。 您用于 DESAT 检测的目标电压阈值是多少？您需要的消隐时间是多少？ 使用 R222是否也是必需的？

DESAT 在开启期间是否显示正常电压波形？ 您可以分享该波形吗？  

此致、

Audrey

您好、Harrie、

在任何情况下、由于驱动器被关闭、输出不受影响。 您也不应看到 nFLT 引脚、因为驱动器输入为低电平。 是这样吗？

此致、

Audrey  

您好、Audrey、

我们的原型逆变器采用 SiC MOSFET。  
｛700 V DC、40 kHz、正弦滤波器｝

目标阈值现在为3.5V 10us (需要@ 220pF 的 R222)

我们开始此测量、因为30分钟后、在80kW 下、我们从 TI 驱动器获取故障信号。
该相位的 SiC-MOSFET 温度大约为 SiC-MOSFET 上方的电子器件处于自然通风环境(21 C)中。

我们在0kW (正弦滤波器已连接)和"冷"系统下进行了测量、此时没有故障信号。

此致、

Harrie

您好、Audrey、

波形关闭/打开。  我在开启时没有发现任何问题、只有去饱和-卸载电容器 MOSFET 才能在脉冲开始时提供更多电流？

我在 Excel 测量中也有此图片(500MSA/s)

此致 Harrie

您好、Harrie、

谢谢。 我看到您如何根据原理图得出3.5V DESAT 阈值电压。 但是、10us 消隐时间似乎比实际得到的时间长得多、这更像是220pF 电容的低于2us 消隐时间。 但是、由于您使用的是 SiC、因此考虑到快速关断速度、低于2us 的消隐时间是可以接受的。

感谢您分享额外的波形。 那么、在关断期间、SiC MOSFET 的高正 dv/dt 似乎是一个问题。 如果可能、您能否尝试将 R226增大到1kOhm 以查看是否有任何改进？

在此瞬态期间、您是否能够测量 DESAT 引脚上的电流？

此致、

Audrey

您好、Audrey、
在经历了一些困难之后、我进行了测量(而不是来自电流)。
我使用 100E 和820E 进行了测量、这是额外的测量通道1 U 漏源。
图1：高 DESAT 信号上的100E 触发器。

图2 100E 下 DESAT 信号

图3 820E 尝试在最高的去饱和信号上触发(关闭时)

图4 820E 开-关脉冲

高 DESAT 脉冲消失。

要了解测量结果、ISO5852中的去饱和 FET 是否具有高阻抗以及高 dU/dt 峰值、这是信号的问题？ 当栅极信号为低电平时、ISO5852是否会因去饱和故障跳闸而被阻止？

我们将面临一个挑战、那就是加快去饱和之旅。

我们认为 R222必须从10k 更改为1k、您能给我一些关于这两个问题和最后一个陈述的反馈吗？

此致 Harrie。