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[参考译文] BQ24780S：高侧 FET 的最短关断时间

admin
Guru**** 2551110 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24780S

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/780090/bq24780s-minimum-off-time-of-high-side-fet

器件型号：BQ24780S

高侧 FET 的最短关断时间是多少？ 当我看到另一个线程时、它是75nsec。 如果关断时间取决于开关频率、请告诉我每个开关频率的最短关断时间。

此致、

TAMIO

  • 0
    TI__Guru**** 2551110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tamio-San、

    HSFET 关闭的时间长度可表示为 HIDRV，off =(1-D)*T

    由于 D = Vout/Vin 且 T = 1/f、我们可以将其重写为 HIDRV、off =(1 - Vout/Vin)*(1/f)=(Vin - Vout)/(f*Vin)

    为了最大限度地缩短 HSFET 关断时间、必须将上述表达式最小化。 因此、f 应设置为1MHz 的最大频率、 Vout 应设置为最大值19.2V。通过与您引用的线程(https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/609140?BQ24780S-Maxumum-duty-cycle)类似的分析 、我们还将假设肖特基二极管的正向压降为0.4V。使用典型的 VCC_SRN 下降阈值60mV、 然后最小 Vin = 19.2 + 0.4 + 0.06 = 19.66V、为我们提供的最小 HIDRV 关断时间为：

    HIDRV、OFF =(Vin - Vout)/(f*Vin)=(19.66 - 19.2)/(1000000*19.66)= 23.4ns

    请注意、由于所做的假设、此结果可能会稍微不准确、但这应该有助于提供粗略的估算。

    此致、
    Angelo

  • 0
    TI__Guru**** 2551110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好、Angelo

    感谢您的支持。

    我了解了您的建议对最短关闭时间的思考方法。 但我想知道系统设计规格中的设计值。

    • 最小关断时间是否为固定值？
    • 如果是、这是什么？
    • 如果否、具体取决于什么？  

    谢谢

    TAMIO

  • 0
    TI__Guru**** 2551110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tamio-San、

    最小关断时间不是 BQ24780S 的固定值。 它取决于多个因素：输入电压、输出电压、频率、死区时间和 BTST 刷新。 死区时间和 BTST 刷新会限制 HSFET 的最大占空比、从而增加其最短关断时间。

    此致、

    Angelo