您好!
此致、
Usman Haider

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您好!
此致、
Usman Haider

Usman、我祝您的研究项目进展顺利。
请将电压控制开关与二极管并联。 MUR3040足以查看仿真结果。

您看到的纹波不是由 LM5116引起的。 它来自 您指定的50Hz 交流电源。

请使用 DigiKey 查找 合适的 MOSFET。 这就是我找到的(BVD=200V)

此信息仅供参考、TI 不保证精度。 买方/用户独自负责其应用的设计、验证和测试、以及遵守与其应用相关的所有法律、法规、标准和安全相关要求。
谢谢 Eric
请向我提供修改后的文件。 我不应该将 Si7852替换为其他 MOSFET? 因为如果我施加265V 电压、MOSFET 上的 VDS 电压会更大、这可能会导致损坏或功率损耗。
存在的纹波无法通过滤波电容器进行校正? 如果是、请执行此操作。
最后、您能找到该电源的效率吗? 因为、我是 Tina TI 软件的第一次用户。 我没有找到任何关于电源效率的 YouTube 教程。
我希望您能完成所有这些工作、并为我提供包含输出波形的最终仿真文件。
谢谢、
Usman、我祝您的学校研究项目进展顺利。
1) 1)我建议您更换开关。 下面是示例

2) 2)电压控制开关没有最大电压限制。
3) 3)可以通过增大 C23和 C24来减小纹波、但不能将其变为零。
4) 4)我不确定精度、但我认为您可以使用两个功率计手动计算效率。

5) 5) 此信息仅供参考、TI 不保证准确性。 买方/用户独自负责其应用的设计、验证和测试、以及遵守与其应用相关的所有法律、法规、标准和安全相关要求。
Usman、我 祝您的学校研究项目进展顺利
DigiKey 提供了可供您下载数据表的链接。 我建议您在 https://www.digikey.com/上下载数据表
下面是我在 BVDS 为 200V 的 DigiKey 中找到的内容

您可以通过 DigiKey 下载数据表。 请参阅以下示例。

此信息仅供参考、TI 不保证精度。 买方/用户独自负责其应用的设计、验证和测试、以及遵守与其应用相关的所有法律、法规、标准和安全相关要求。
这是数据表的链接
https://rocelec.widen.net/view/pdf/1pp7m0n37b/FAIRS46474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
你(们)好 Eric
我已经设计并使用了一个好的 MOSFET 模型、该模型解决了 VGS 和 VDS 问题、但来自源极的电流为正弦、正如您所看到的、它非常高。 出于安全原因、我希望在电路中使用保险丝。 但会有大量电流损坏电路。
请尽快帮助我解决这个问题。
您好、Usman、
您有一个具有总输入电容(CIN)的输入电感器 L3、这需要进行阻尼。 对于 CIN、您有 C23、C24、C22、C8和 C9、 所有这些都具有零 ESR、并且不会为 L3/CIN 电路提供任何阻尼。 您将需要添加一个具有 ESR 的并联阻尼电容器(CD)、该 ESR 用作阻尼电阻器(Rd)。 该电容器与 上述现有 CIN 并联。 CD>4 x CIN、如上所述、Rd = sqrt (L3/CIN)。
按照此建议、可为 CD 产生~800uF 或更大的电容器、并且 Rd 需要~350mR 希望这对您有所帮助。
David。