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我想知道 我应该将哪个 MOSFET 驱动器与此 IC 一起使用???
我的要求是灌入大约12A 的电流
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我想知道 我应该将哪个 MOSFET 驱动器与此 IC 一起使用???
我的要求是灌入大约12A 的电流
Shikha 您好、
感谢您关注 TI FET。 您能否分享有关您的应用的更多详细信息。 该 FET 源是否以接地为基准? 您需要灌入的12A 电流的脉宽和占空比是多少? 在 Tamb=25C 且脉冲宽度<= 100us 且占空比<= 1%时、此 FET 的绝对最大脉冲漏极电流额定值 IDM 为14.8A。 本质上、这是单脉冲额定值。 您将需要使用数据表中的瞬态热阻抗曲线来确定 FET 在脉宽、占空比和环境温度下是否可以支持12A。 如果 FET 的源极以接地为基准、则可以使用任何低侧驱动器 IC。 请记住、绝对最大 VGS 为10V、建议的工作最大 VGS 为8V。 驱动 VGS > 10V 将损坏 FET。
您好、Shikha、
TI 网站的 CSD17382F4产品文件夹中提供了 PSpice 和 TINA-TI 模型。 单击"Design and Development"选项卡、您应该可以在那里找到它们。 请注意、我们不会在公共网站上发布未加密模型。 如果您需要未加密模型、请告诉我、我将向您发送一个朋友请求、允许我通过私人邮件共享模型。
这是单脉冲还是重复脉冲? 如果是重复的、我需要知道 FET 必须同步电流脉冲的占空比或频率575us。 这将帮助我确定适合您的应用的 FET。
TI 制造了许多驱动器 IC。 随附的电子表格列出了可能适合您的低侧驱动器 IC。
您好、Shikha、
575us @ 30MHz 至50MHz 的脉冲对我来说毫无意义。 在任何情况下、确定 FET 是否在此应用中工作的最佳方法是使用数据表中的瞬态热阻抗曲线。 它们根据脉冲宽度和脉冲占空比提供标准化热阻抗。 我们在以下位置发布了一个博客系列: 。 请参阅第6部分和第4部分、更好地了解我们如何在 MOSFET 数据表中规格热阻抗和脉冲电流额定值。 如果 CSD17382F4不能满足您的需求、我建议查看采用2x2mm QFN (封装标识符 Q2)或3x3mm QFN (Q3、Q3A)封装的更大器件。 一些可能的器件是 CSD17318Q2 或 CSD17579Q3A。 这些器件可以处理更高的电流。