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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/818645/ucc5350-driver-high-side-sic-mosfet
1.如果 UCC5350SB 可用于驱动高侧 SiC MOSFET，则低于 Q12、Q14？
2.以下是我的应用程序，如果有任何问题？
3.是否为我的设计提供了设计参考？
尊敬的 Jones：
感谢您关注我们的驱动器、我叫来自高功率驱动器应用团队的 Mamadou Diallo。
UCC5350SB 可用于驱动高侧 SiC FET、如随附应用手册中的图4所示。
http://www.ti.com/lit/an/slua669a/slua669a.pdf
您将需要基于小型变压器的隔离式偏置来保持引导电容器电压高于 UVLO 阈值、从而在必要时实现更高的占空比运行。
话虽如此、您的链接未附加、因此我无法访问您的应用程序的详细信息。
如果可以、您是否对该驱动器部分用于隔离感兴趣？ 或者您的应用是否需要隔离式栅极驱动器？
如果您提供了有关您的应用的更多详细信息、我可能会建议合适的驱动程序来满足您的应用需求。
如果您有其他问题、请告知我们。
此致、
-Mamadou
您好、Jones、
您的问题是否得到了解答？ 如果没有、请告知我们、我们可以为您提供帮助。
从 AN 文件中、UCC5350可用于驱动上升侧 MOSFET。
非常感谢
