您好！
1.数据表第20页：VEE UVLO 的-3V 阈值电压、具有400mV 迟滞。 这是否意味着 VEE 必须低于-3V？
我处于电路设计阶段。 首先、我使用了可提供20V 和-5V 电压的电源、这对该驱动器很好。 然后、我找到最大值 我们 Infineon SiC MOSFET 的 VGS 为20V、因此我必须为 VDD 使用15V、相应的 VEE 为-3V。 我回来检查该驱动器、发现该驱动器的 UVLO VEE 为-3V。 我们已经购买了此驱动程序和 Infineon 器件、必须使用它。 如果 VEE 必须低于-3V、我必须找到另一个电源。
2.数据表第3页：RST/EN 有两个用途。 我可以将其同时用于这两个目的、还是只能选择一个？
a.启用或关闭驱动器、无驱动输出。
b.重置 FLT 引脚上发出的故障信号。
那么、当它为低电平有效时、FLT 信号清零、驱动器被禁用？ 我很困惑。
3.数据表第24页：在器件中实现了 AIN 引脚内部电流源 Iain 以偏置外部热敏二极管或温度感应电阻器。
请参阅下面的内容。 RTH 集成在 SiC MOSFET 模块中的灰色块中、有两个称为 NTC 的端子。
a：如果 RTH=5k 欧姆、RTH 两端的电压= Iain * RTH =200uA* 5000k=1V。 对吗？ 如果正确、则 RTH 需要2.5k Ω 至22.5kHz 的电压来满足0.5V 至4.5V 的 AIN 电压。 或者我的原理图连接错误？
B. AIN 与 APWM 之间的关系是什么？ 如何使用这些引脚监测温度？
数据表仅提供三种特殊情况 、未实现= 0.5V、2.5V、4.5V。 我可以用一种情况来设置最高温度、但无法监测温度。
谢谢、
红梅湾
