您好!
我是使用参考设计制作电路板的、它适用于6s LiFePO4电池21.6V 电压、并使用24V 直流适配器作为充电源。
当我使用24V 直流电源为电池充电时、PG 引脚以100ms 的频率闪烁、充电电流仅为30mA。
当我将电压降低到27V 左右时、一切都很稳定、充电电流恢复正常(ISET1)、大约1A。
如果我在 EVM 板上使用相同的设置、这是正常的。
我想知道造成这种情况的原因是什么。
我随附了 eGe 格式的设计文件、这里是原理图的屏幕截图。
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我是使用参考设计制作电路板的、它适用于6s LiFePO4电池21.6V 电压、并使用24V 直流适配器作为充电源。
当我使用24V 直流电源为电池充电时、PG 引脚以100ms 的频率闪烁、充电电流仅为30mA。
当我将电压降低到27V 左右时、一切都很稳定、充电电流恢复正常(ISET1)、大约1A。
如果我在 EVM 板上使用相同的设置、这是正常的。
我想知道造成这种情况的原因是什么。
我随附了 eGe 格式的设计文件、这里是原理图的屏幕截图。
您好 Kangmin、
是的、这种高频耦合会导致 BQ24630循环进入和退出睡眠模式。 您可以从 VCC 浸渍中看到这一点、由于您的应用在电池电压和输入电压之间已经有很小的余量、因此会导致充电器认为它处于睡眠模式。 PG 低电平有效表示电源正常、因此当睡眠状态发生时、PG 为高电平。 这就是 PG 引脚闪烁的原因。 在睡眠状态下、ACDRV 也将被拉高至 VCC、在有效输入状态下、ACDRV 将被拉至 VCC - 6V。 ACDRV 振荡也显示进入和退出睡眠模式。 有关可最大限度降低高频噪声的布局技巧:
1.将输入电容尽可能靠近开关 MOSFET 电源和接地连接放置,并使用尽可能短的铜线迹连接。 这些器件应放置在 PCB 的同一层上、而不是使用通孔进行连接的不同层上。
2. IC 应靠近开关 MOSFET 栅极端子放置、使栅极驱动信号布线保持短路、从而实现干净的 MOSFET 驱动。 IC 可放置在开关 MOSFET 的 PCB 另一侧。
3.将电感器输入端子尽可能靠近开关 MOSFET 输出端子放置。 最大限度地减小该迹线的铜面积、以降低电场和磁场辐射、但使迹线足够宽、以承载充电电流。 不要为此连接并行使用多个层。 最大限度地减小从该区域到任何其他布线或平面的寄生电容。