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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1171575/bq25713-could-we-replace-mosfet-with-gan-for-power-stage
大家好、
我的客户希望将 GaN 用于 BQ25713的降压/升压开关。 他们的产品是 NB。 您对此应用有任何顾虑吗？ 如果您有任何意见、请告诉我。 谢谢你。
此致、
哈迪
您好、Hardy、
您是否有他们想要使用的示例器件型号？
谢谢、
Khalid
您好 Khalid、
是的、我通过邮件将 PN 发送给您。
您发送的 GaN FET 上的规格看起来正常。 VGS 最大值过低。 我没有见过其他客户在此 应用中使用 GaN FET、因此可能存在一些不可预见的问题、但我觉得它应该很好。
感谢您的回复。
由于 GaN 上的 VGS 最大额定值仅为6V、并且需要负电压来关断 FET、 您是否有任何栅 极驱动器解决方案建议？
我之前错过了 VGS Max。 6V 可能过低、因为我们将在开关期间达到6V VGS、并正常使用。 想要使用 GaN FET 的原因是什么？
客户希望在其产品上添加特殊功能。 他们研究了充电器电路上的 GaN FET。 您对使用 GaN FET 有任何技术问题吗？ 如果没有、您还能建议 GaN FET 的栅极驱动器解决方案吗？ 谢谢。
我们尚未使用我们的充电控制器评估任何 GaN FET、因此我目前没有关于栅极驱动器解决方案的建议。 如前所述、我没有看到技术问题、但可能存在问题、因为我们尚未对其进行评估。
明白了。 感谢您的评论。
