[参考译文] BQ78350-R1A：BQ78350-R1A：XCHG 位和 XDSG 位始终为高电平。

您好！

您能否发送 reset()命令，然后发送 fet_enable()命令，然后再次读取这些位？ 您需要设置 FET_EN = 1、否则器件处于 FET 测试模式、这不是正常运行模式。  

此致、

Matt

您好、Matt、

我尝试了您提供的方法、但得到了相同的结果。

此外、我从 BQ76940 AFE 上断开了 NFET 驱动器 BQ76200 CHG_EN 和 DSG_EN、并在 CHG_EN、DSG_EN、PCHG_EN、CP_EN、PMON_EN 引脚上添加了低电阻器、 并发现驱动器输出仍然接近电池组电压、因此充电和放电 MOSFET 始终处于导通状态。

我 很困惑。

您好、Wang、

您能否录制屏幕视频并执行您要执行的步骤？ 最好复位器件。 您是否还可以发送器件的闪存寄存器设置(单击 BQStudio 的"Data Memory"屏幕上的"Export")？  

谢谢、

Matt

您好、Matt、

附加了屏幕录制和闪存寄存器设置文件、谢谢。

e2e.ti.com/.../BQstudio_5F00_1110.rar

感谢您分享。 您能否启用已启用 PF B 寄存器中的 AFE_XRDY 和 AFE_OVRD 位？  

此外、您能否启用已启用 PF A 寄存器中的 SUV 和 SOV 位？

这些是 BQ76940器件无法禁用的硬件保护。 因此、BQ78350-R1可能会触发这些保护、但未观察到这些保护、从而导致 FET 关断。 启用这些位将显示情况是否如此。

此致、

Matt

您好、Wang、

新图像显示您确实看到了硬件保护触发器、该触发器将禁用 FET -您的电路板上肯定会出现非常错误的情况。 您能否共享原理图？  

本视频有助于确定 AFE 原理图上可能出现的问题 ：https://training.ti.com/how-create-schematic-bq76920-bq76930-and-bq76940 

此致、

Matt

您好、Matt、

 我已收到有关原理图的私人消息、请确认。

谢谢。

您好、Wang、

您能否检查此主题中有关 XREADY 保护的常见原因？  

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/923907/bq76940-xready-trigger-reason-identify

最好能够测量 BQ76940每个引脚的电压、以帮助诊断触发这些保护的原因(AFE_XRDY、AFE_OVRD、SUV、SOV)。 某些电芯输入或电源引脚输入必须存在非常意外的情况。  

此致、

Matt

您好、Matt、

我将电池组引脚的电源连接从 B+更正为 P+。
此外、我直接向 CHG_EN、DSG_EN 和 CP_EN 引脚添加了5V 电压。 可以测量 VDDCP 约为10V、CHG 引脚为50V、DSG 引脚为60V。

当我移除 CHG_EN、DSG_EN 的5V 电压时、 DSG 引脚为低电平、CHG 引脚仍具有50V 输出。  CHG MOSFETn′t 关断。

你有什么建议吗？

谢谢、

您好、Wang、

您能解释一下电路板上纠正了什么以及它以前是如何引起 XREADY 保护的吗？ 我不确定我是否理解。  

Matt