尊敬的 TI 团队:
我正在使用 TI 组件(TPS51116RGET)开发 DDR3L 电源方案。
我的工作条件如下-
a)输入电压- 5V
b)输出电压-1.35V (DDR3L)
c)输出负载电流(最大值)- 3A
d)开关频率- 400kHz
e)器件功能模式-电流模式
f)电流感应方案- RDS (on)感应方案
g)放电模式-跟踪
H) MOSFET IC- N 型(CSD87330Q3)。
请查看随附的参考原理图-
现在、我在这个原理图中有3个疑问-
1) 1)在数据表中、第"9.2.2.5节确定 f0并计算 RC "、 我应该采用什么 f0值和 rs? 该计算是否会为我提供确切的 RC 电阻器值?
2) 2)在数据表的 第9.2.2.7节"计算 CC。"、请详细说明如何确定 CC 电容值?
3)对于 RDS (on)电流感测方案、R 和 C 组件值是否在 CS 引脚和 V5IN 之间固定(R= 7.15K、C= 1nF)? 如果不是、那么如何根据我的工作条件找出正确的值?
此外、 是否有任何电子表格或仿真工具、因为此组件的 WEBENCH 已禁用?
谢谢你
Raj Kumar
