[参考译文] LM5035CEVAL：LM5035C 的占空比问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM5035CEVAL

您好！

LM5035CEVAL 在轻负载下的占空比相对较高(约35%)，请帮助分析原因，谢谢！

0 admin 2 年多前

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大家好、感谢您发帖到 E2E -您期望的占空比是多少？请提供输入电压、输出电压、频率、拓扑、变压器匝数比的波形、原理图或说明？您可以提供的信息越多、TI 就能为您提供的支持越好。您还应考虑使用 TI 功率级设计器来验证任何功率级的理论占空比。功率级设计器允许对最常用的电源拓扑进行顶层仿真。

此致、

Steve M

0 admin 2 年多前

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您好，

客户使用 TI 的评估板、模型为 LM5035CEVAL、不是客户开发的产品；

问题描述：

1.没有负载时、桥臂的 MOS 驱动占空比很大。当输入36V 电压时、电压约为35%。这是如何实现的？

2.桥臂 Q11和 Q12的驱动死区时间约为100ns。如何避免共导？

如何获得 C3-C6电容？是否有用于计算变压器输出电感的方法？

0 admin 2 年多前

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你(们)好

当没有负载时、桥臂的 MOS 驱动占空比很大。当输入36V 电压时、电压约为35%。这是如何实现的？
1. 您正在将无负载占空比与36V 输入占空比进行比较？空载时的电压是多少？当 D=35%时、36V 下的负载是多少？如果您可以包含描述输入、输出电压电流和占空比的波形、请比较同类产品、甚至更好？
桥臂 Q11和 Q12的驱动死区时间约为100ns。如何避免共导？
1. 死区时间在内部固定为45n最短<Td<100ns and is specified in the data sheet under "Main Output Drivers (HO and LO Pins)"
如何获得 C3-C6电容？是否有用于计算变压器输出电感的方法？
1. C3-C6是输入电容器。由于全桥是降压推导拓扑、因此它具有脉冲交流输入电流。输入电容器的确定方式与任何降压拓扑相同、其大小可满足所需的输入电压纹波和低输入电压、最大负载下的最大 RMS 输入电流。 TI 功率级设计器可帮助计算电容器。

此致、

Steve M

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