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器件型号：LMG3422R030 大家好、我对 LMG3422R030器件的运行有疑问。
很清楚、即使不是 LMG3422R030、我的问题主题是"漂移栅极驱动 GaN HEMT 拓扑"。
在" GaN 器件的直接驱动配置、Paul L. Brohlin、Yogesh K. Ramadass、Cetin Kaya -德州仪器"文件中、
与传统共源共栅 GaN 不同、在直接驱动 GaN 配置中、硅 MOSFET 始终处于导通状态、并且由于其低 Rdson、其寄生二极管不会导通。
因此、在直接驱动配置中没有与 Qrr 相关的功率损耗。
我知道 GaN 可以是第三象限、但源极需要相应的电流路径来拉要传导的 GaN 电流。
我要问的是、当第三象限电流在 GaN 上传导时、电流通过 Si 的路径是什么。
这是否意味着 Si MOSFET 的电流在不使用体二极管的情况下从源极流向漏极？
感谢您的阅读。
