工具/软件：WEBENCH
设计工具
大家好
我最近使用了 TPS56C215，并在 WEBENCH 设计器中进行了效率仿真 ， 并更改了所有器件型号，使其与用户 guid TPS56C215EVM-762相同。
当输出电流为1A~2A 时、仿真结果相差约3%~4%； 当输出电流为2A~3A 时、差异约为2%~3%；当输出电流为3A~4A 时、差异约为1%~2%。 我想知道、为什么差值会变小、输出电流会变大。 (我还测试了实际电路板 TPS56C215EVM-762、结果与用户指南类似、因此我认为仿真中会出现问题)
我想知道 WEBENCH 如何计算效率。(效率公式)您能否列出 您考虑过的损耗列表。(如开关损耗、传导损耗、PCB 布局损耗、DCR 损耗、铁损耗、 铜损耗等)谢谢。
此致、
罗伊
通常情况下、WEBENCH 考虑的损耗列表如下所示。 有关更多详细信息，我稍后将在 WEBENCH 团队为我提供准确的结果后回复您 。 谢谢！
您好、Roy、
目前、在 Webench 上、我们仅启用了两个频率、即400kHz 和800kHz、如下图所示。 将针对以"Opval"显示的频率计算效率。
由于 Webench 上未启用1.2MHz、因此它将在"Opvals "表中仅显示400kHz 或800kHz。
此致、
Mahantesh
您好、Mahantesh
感谢你的帮助。 还有两件事要问您。
1.能否在性能摘要中模拟其他参数(如 Iin Average、root mean square)？
2.当我看到 OP val 时、它显示了其中一个功率耗散来自 IC 损耗。
您能否告诉我 IC 损耗的计算方法或包括方法？ 如开关损耗、导通损耗、驱动器损耗等
或者、您可以为我提供公式。
谢谢。
罗伊
您好、Roy、
目前、我们没有在性能摘要中显示 Iin Avg、均方根值等参数。
但是、您可以在"运行值"中找到 Iin avg、Cin IRMS 和 Cout IRMS、如下图所示。
2. IC PD 包括/使用以下公式计算得出。
答：如果高侧 FET 导通、下面是 IC_PD 损耗计算公式。
IC_PD =｛Pdiss_IC_QUIESCENT + Pdiss_FetHS_Conductable+Pdiss_FetHS_GateCharge +Pdiss_FetHS_RISE + Pdiss_FetHS_FALL + Pdiss_FetHS_Coss + Pdiss_FetLs_ReverseRecovery｝
b. 如果低侧 FET 导通、则下面是 IC_PD 损耗计算公式。
IC_PD = ｛Pdiss_IC_QUIESCENT + Pdiss_FetLS_Conductable+Pdiss_FetLS_GateCharge +Pdiss_FetLS_Coss +Pdiss_FetLS_Diode +Pdiss_FetLS_FetLS_Fall｝
其中、Pdiss=功率耗散
FetLS= FET 低侧、FETHS=FET 高侧。
此致、
Mahantesh
