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器件型号：LMG3422R030 大家好、
您能否向我展示 LMG3422R030的 SOA 图？
如果您展示具有各种导通时间持续时间的 SOA 以及其他 Si FET 数据表、我将不胜感激。
此致、
Itoh
大家好、
您能否向我展示 LMG3422R030的 SOA 图？
如果您展示具有各种导通时间持续时间的 SOA 以及其他 Si FET 数据表、我将不胜感激。
此致、
Itoh
您好！
问得好！ 对于 Si 和 SiC 的安全工作区(SOA)图、漏极电流受半导体材料固有饱和的限制、这意味着不同的脉冲宽度将在 FET 中产生不同的限制。 对于 GaN、情况并非如此。 GaN 本身的固有属性非常高、如 LMG3522数据表的图7-5所示：
从图中可以看出、GaN FET 直到高达250A 才会饱和、但蓝色虚线显示了 LMG3522器件的过流保护。 我们的 GaN FET 不受 GaN 饱和的限制、而受过流保护功能的限制、因此我们的 SOA 数字看起来很平坦、不同于正常的 Si 和 SiC。 因此、SOA 不会随 tp 的不同而变化、它都将在 SOA 范围内。 如果您需要进一步澄清此主题、请告诉我。
此致、
扎赫