您好!
我曾询问过有关此基本参考设计的一些问题。 我似乎仍然对主 N 沟道 MOSFET 有问题。 它会不断地进行分解和短路。
我之前使用过具有+/- 16m Ω Rdson 的150V 30A FET。 它保持了一段时间、突然崩溃、短路、这是在将输出电流调至+/-7A 之后发生的。 我使用了计算 Excel 工作表、该表计算了+/-/170V 的应力电压。 不过、绝不会在输入线上测量超过100V 峰值的电压。 (规格为36-80V 输入电压)。 然后、我升级到200V 34A 55m Ω MOSFET、它立即发生故障、甚至不消耗任何输出电流。 我检查了死区时间等、它们不会导致大量耗散损失。
是否有人遇到过类似的问题?