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器件型号：LM5118 尊敬的支持成员：
我的客户使用了 LM5118。
我有疑问。
规格条件
输入电压：15V
输出电压：24V
输出电流：7A
Fsw：100kHz
L：52μH μ H
COUT：150μF×3、10μF×8
问题1.
负载电流从0A 增加到3A、从而达到7A
高侧 FET 的 Vgs 电压升高、但这种移动是否正确？
随着负载变重、高侧 FET 的 Vgs 电压升高、
您能否告诉我电压将上升的机制是什么？
是否有办法防止高侧 FET 的 Vgs 电压上升、即使负载变大？
问题2.
电流从0A 增加到3A、再增加到7A
HB 和 GND 之间的电压将上升、但这是否正确移动？
是否有办法防止 HB 和 GND 之间的电压上升、即使负载变大？
最恰当的考虑。
Bob Lee
