[参考译文] BQ24610：有关自举二极管问题

您好 Ken、

需要选择自举二极管作为快速恢复器件、以最大程度地减少自举电容反馈到 Vcc (REGN)的电荷。 因此、我们通常使用肖特基二极管作为自举二极管。 除了 PH 和 BTST、通用二极管和 REGN 是否也损坏？ 是否有任何其他组件损坏？

谢谢、
Ann Lien

尊敬的 Ann：

感谢您迅速回复。

到目前为止、我们总共有三个损坏部件、其中一个引脚18 (REGN)短接至引脚17 (GND)、但二极管看起来很好。

要更换新部件、PCB 通常会正常工作、但不确定何时会再次损坏？

谢谢

Ken

您好 Ken、

关于损耗、我们可以大致计算整个自举电路中的总损耗。 这就是为什么我们需要添加肖特基二极管、因为它具有快速恢复能力、因此比通用二极管更好。 对于真正的损坏根本原因、我们无法确定、因为没有波形来显示其发生的情况。 但恢复损耗可能是其损坏的原因。 REGN、PH 和 BTST 均已损坏、这表示其高侧驱动器已损坏。 这可能是由于恢复损耗超出驱动器限制而导致的。 使用肖特基二极管可以解决此问题、我们通常使用肖特基二极管作为自举二极管。 我认为、如果您将通用二极管更改为肖特基二极管、则会很好且不会再次损坏。

谢谢、

Ann Lien

尊敬的 Ann：

再次感谢您的回复。

您能否告诉我如何计算恢复损耗以及 bq24610的驱动器限制是什么？

您是指二极管规格的 TRR 参数吗？ 通用二极管与肖特基二极管似乎没有什么不同。(请参阅下图。)

如果您需要、我可以捕获一些波形来判断损坏的根本原因。(请告诉我测试条件和要点。)

此致、

杨孝天

您好 Ken、

自举二极管损耗 是自举电容器充电时发生的正向偏置功率损耗与反向恢复期间发生的反向偏置功率损耗之和。

• 正向偏置功率损耗=正向电压*i_diode。 Idiode =Qbootcap/t_low_side。  
• 反向偏置功率损耗取决于恢复电流和恢复时间。 我们可以估算从自举电容到 REGN 的库仑放电情况。  

您能否向我们分享整个原理图？ 我们可以进一步讨论是否有任何其他电路会导致此问题。

对于二极管、通用二极管的 TRR 几乎与肖特基二极管相同。 因此、TRR 可能不是这个问题的原因。

您能否在此问题之前/之后测量 REGN、BTST、PH？ 我们可以通过波形进行讨论、以确定哪一个是第一个损坏的、并导致其他电路损坏。

谢谢、

Ann Lien

e2e.ti.com/.../3S-CHARGE.pdfHiAnn、

感谢您介绍自举二极管损耗计算。

随附的文件是供您查看的客户原理图。

这一问题不容易重复、使用通用二极管或肖特基二极管两者都可以正常工作、并且波形 看起来类似。(请参阅以下波形。)

CH1：PH

CH2：BTST

CH3：REGN

图1 =>通用二极管

图2 =>肖特基二极管

  

谢谢

Ken

您好 Ken、

我在您的原理图中找不到设计错误。 需要确认的一点是、这个问题是多次出现/多次出现在电路板上还是仅发生在单个案例中？ 由于您再次测试了通用二极管、并且测试中没有损坏、我想知道这是否是单个情况。 根据通用二极管和肖特基二极管数据表、TRR/IF 参数几乎是相同的值。 即使根据您的测试结果、它们看起来也没有什么不同。 请检查您的设计是否为单个案例。

谢谢、
Ann Lien

尊敬的 Ann：
这不是单一情况、即故障现场返回、到目前为止、我们已接收到3个故障 IC。(这3个故障症状非常相似。)
我们建议将二极管从通用更改为肖特基、然后再次进行测试、客户响应测试结果似乎不错、 但是、我们不知道如何解释为什么由于常规测试波形和肖特基测试波形看起来没有很大不同、改用肖特基二极管能够解决这个问题？
我应该将这些损坏的部件发送给 FA 吗？ FA 报告中是否有任何帮助？

谢谢
此致、
Ken

您好 Ken、

我的邮件地址是 ann_lien@ti.com。 为了加快状态、我们可以通过邮件进行讨论。

对于调试方向、我们认为二极管一开始就损坏了。 但在受损后、二极管看起来不错、它表示二极管可能不是这个问题的关键点。 请先提交 FA 报告吗？ 我们可以知道是否有任何其他引脚或功能损坏。 我们可以讨论下一步。

谢谢、

Ann Lien