[参考译文] UCC27531：MOSFET 建议

Josh、您好。

根据许多参数、选择 MOSFET 是一个重大决策。 通常、人们选择 FET 并为此选择驱动器、而不是相反。 我查看了您的原理图、看不到 UCC27531的确切位置。 我看到的是非 TI 双通道栅极驱动器、但 UCC27531是单通道驱动器。  

功率 MOSFET 的2MHz 非常高。 栅极驱动器功率耗散的粗略估算可通过以下公式得出：

P = FSW*Qg*VDD

使用2MHz 的 Fsw 并假设 VDD 为12V、您可能需要一个 Qg 低于21nC 的 FET 来避免过热、这对于功率 FET 而言非常低。 这里是 TI 的 MOSFET 、VDS 额定值为60V 或更高、Qg 低于21nC。 但 FET 上的 Qg 较低意味着 Rdson 较高、因此对于您的客户而言、Rdson 可能过高。  

对于2MHz 运行、我建议使用 GaNFET 或使用带有散热焊盘的驱动器。 UCC27614DSG 对 UCC27531的热阻要低得多、因此可以在不产生过多热量的情况下耗散更多的功率。 您的客户是否有使用 UCC27531的特定理由？ 它面向开关频率通常约为20kHz 的 IGBT、因此可能不太适合这种情况。  

此外、我知道您已经为不同的组提出了一个新问题、但可能最好询问 FET 组？ 让我知道我可以将此主题发送给他们；无需启动新主题。 我现在将标记为已解决、但如果您有任何问题、请随时回答。

谢谢、

Alex M.

Josh、您好。

我想我现在已经理解了。 我假设您的客户谈论的是驱动 FET、而不是这个换能器设置。 老实说、这是我不熟悉的用例。 我做了一个仿真、这是否与预期有关？

如果您想在60V 电压下执行类似操作、则普通低侧栅极驱动器没有太多选择。 UCC27531在我们的整个产品系列中具有最高的输出电压能力。 没有支持60V 的驱动器、40V 是最高的。 为此、我认为最简单的方法是使用60V 直流电源和半桥配置、如下所示：

还有其他方法、但这似乎是一个不错的选择。 如果我有错误的想法、请告诉我。  

谢谢、

Alex M.