大家好、
我的客户有一些问题、我无法在数据表上找到答案。
请帮助回答以下问题:
1.将 CE#引脚拉高或置位0x01[1]=1可以禁用充电?
2.设备是否会在 I2C 模式下遵循 ICHG? 电流是否会在任何时候受到 ISET 的限制? 还是将遵循最低标准?
3.只有电池时的静态电流是多少? DS 仅显示 SYSOFF 和 High-Z 的 IQ
4.仅根据不同的 CE#设置、电池的 Iq 是否会有所不同。
谢谢
请求
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、
我的客户有一些问题、我无法在数据表上找到答案。
请帮助回答以下问题:
1.将 CE#引脚拉高或置位0x01[1]=1可以禁用充电?
2.设备是否会在 I2C 模式下遵循 ICHG? 电流是否会在任何时候受到 ISET 的限制? 还是将遵循最低标准?
3.只有电池时的静态电流是多少? DS 仅显示 SYSOFF 和 High-Z 的 IQ
4.仅根据不同的 CE#设置、电池的 Iq 是否会有所不同。
谢谢
请求
Paul、
在 ISET 寄存器中、默认设置为外部 ISET 电阻器。 在独立模式下、ISET 电阻器控制充电电流。 在主机模式下、ISET 寄存器控制充电电流。 如果在主机模式期间在 ICHRG 寄存器中选择了外部 ISET 电阻器、则外部 ISET 电阻器控制电流。 如果未选中、则所选的寄存器值控制电流。
待机模式在数据表中使用了两次。 在以/CE=HIGH 为基准的引脚功能表中、数据表错误地将其称为待机模式、而不是简单地禁用充电。 在寄存器表的后面部分、可互换待机模式、以指 HiZ 模式。