[参考译文] LM27762：有关 LM27762 EVM 中电容器的问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/602491/lm27762-question-about-the-capacitors-in-the-lm27762-evm

器件型号：LM27762
我正在研究评估板以将其复制到产品中、我注意到一件有趣的事情：输入旁路(C2)的规格为1µF μ V/25V、而飞跨电容器(C1)为1µF μ V/10V。输入储罐/较大旁路 CBAT 也是10V。为什么 C2的额定电压为25V？偏置导致的电容损耗或处理初始电荷浪涌后由接线电感产生的过压、是否会降低？由于 CBAT 的额定电压仅为10V、因此我会导致第一次发育不全、但由于 CBAT 是陶瓷电容、因此容量损耗不可接受？提前感谢

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2317430 points

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您好 Lorenzo、
25V 和10V 额定电压下的1uF 输入电容器(C2)应能在输入电源轨上提供更低的纹波和噪声。根据您的应用要求、您还可以测试10V 类型。然而、更大的10uF 电容器(CBAT)也必须非常靠近 IC 的 VIN 引脚、因为至少需要2uF 的有效电容。
请阅读数据表中的第8.2.2.5.2节、其中提供了有关如何选择输入电容器的更多提示。
此致、
伊沃

电源管理（参考译文帖）

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