[参考译文] 升压转换器的 MOSFET 选择

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/601669/mosfet-selection-for-boost-converter

你(们)好

我正在设计两个升压转换器

1. VIN= 12V 直流，VOUT=50 V 直流，I OUT (最大值)=1A

VIN= 50 V 直流，VOUT=150 V 直流，I OUT (max)=.02A

Q1：我必须使用哪种功率晶体管？是否有任何工具可用于选择功率 MOSFET？ (我见过用于降压转换器设计的工具、但我需要升压 ！！！！！！！)

Q2：我知道 VDS >1.5V 导通 RDS 应该非常低 、PD < 500mW (根据计算)任何功率 MOSFET 是否符合此标准？

Q3：我能否直接使用 输入电压= 12V 直流、输出电压= 150V 直流、I 输出(max)=.02A 的升压转换器？ 因为它需要94%的占空比、 是否可以进行设计？

提前感谢

DEVITH T

Sr.Project Engineer、

NIELIT

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2316870 points

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你好。
我已就您的问题与我们的应用团队联系。我希望很快能为您解答。

遗憾的是、现在只有一个用于降压转换器的在线 FET 选择器工具。我一定会将您对升压转换器工具的兴趣转发给我们的 Web 工具团队。最终目标是为每个应用提供 FET 选择工具。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2316870 points

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迪维斯、
请参阅以下我们的应用团队的回复：

'对于输出电压=150V 的情况，FET 和二极管都需要最小200..250V，以承受振铃+开关节点电压尖峰。
但是、FET 不适合 HS 位置(升压二极管位置)超过24V 输出电压的主要原因之一是反向恢复电荷和体二极管特性。 200V 范围内的廉价肖特基二极管可产生更好的结果。

因此，对于输出电压≥24V 升压转换器，只有 LS 位置才是 MOSFET 的首选。对于 HS 位置、使用肖特基二极管或碳化硅二极管。 …的肖特基二极管范围高达200V、所有400 μ m .1000V 都是碳化硅二极管。

对于50V 输出、您可以为 LS 位置选择100V FET、但必须以 RCD 钳位或有源钳位的形式降低开关节点振铃。

对于升压转换器、FET 和 HS 二极管易受雪崩 BV 故障的影响。"

以下是100V 器件的链接： www.ti.com/.../n-channel-mosfet-transistor-products.page

电源管理（参考译文帖）

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