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[参考译文] BQ24610:电池充电器充电暂停故障

Guru**** 2369400 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24610
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/630434/bq24610-battery-charger-charge-suspend-fault

器件型号:BQ24610

您好!

我们已经成功使用 BQ24610已有相当长一段时间了、我们遇到了这样一个问题、即当系统插入电源时、货架上几个月的电池组不会充电。

在进行一些故障排除后、我们发现电池充电器报告了充电暂停故障、并且电池组由于过压情况打开了其安全 FET。

事实上、最大充电器电压容差可能与电池组的最小过压容差重叠。

为了缓解未来的过压故障、我们计划为充电器电压使用0.1%电阻器;这应该会使我们低于最小过压阈值。

下图显示了我们的当前充电器配置。

另一个需要注意的问题是、我们发现 TTC 引脚不应接地、以便电池最终可以终止充电。

电池充电器电路还有什么缺失吗? 是否有需要具有更严格容差的器件?

感谢您的任何帮助:)

谢谢!

Jason Christensen

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请参阅 EVM 用户指南中的 EVM 原理图。    

    整体看起来不错。 除了上述两项更改外、我们还建议在 Q12的栅极添加另一个1k 电阻器。

    如果您连接了系统负载、请在系统输出端再添加两个10uF 电容器。

    我们建议在高侧开关 FET 的漏极处添加一个小型电容器0.1uF 0603电容器。

    在 BTST 引脚和 C68之间串联10 Ω 电阻。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的回答。

    为了澄清、您能否解决以下问题?

    请参阅 EVM 用户指南中的 EVM 原理图。
    • 您是否建议进行 EVM 原理图中所示的超出您在下面指定的内容的所有修改?
    除了上述两项更改外、我们还建议在 Q12的栅极添加另一个1k 电阻器。
    • 根据 EVM 原理图进行了红线绘图。 请验证。

    如果您连接了系统负载、请在系统输出端再添加两个10uF 电容器。

    • 系统输出节点上已有2个10uF 电容器。 应该再增加2个、总共增加4个? 请参见下图。

    我们建议在高侧开关 FET 的漏极处添加一个小型电容器0.1uF 0603电容器。

    • EVM 原理图未在高侧开关 FET 的漏极上显示额外的0.1uF 电容器。 电容器的另一侧会走到什么位置? 接地? VCCTM

    在 BTST 引脚和 C68之间串联10 Ω 电阻。

    • 请参阅红线工程图。

    此外...电池组制造商建议我们将充电器电压降低至16.4V 标称值。 电阻值 R40降至681K。  

    谢谢!

    JC

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    "您是否建议进行 EVM 原理图中所示的超出您在下面指定范围的所有修改?"

    -是的。 为了获得最佳性能、请使用 EVM 原理图作为参考。

    "除了上述两项更改之外、我们还建议在 Q12的栅极处添加另一个1k 电阻器。  根据 EVM 原理图进行了红线绘图。 请验证。"

    -看起来不错。

    "如果您连接了系统负载、请在系统输出端再添加两个10uF 电容器。  系统输出节点上已有2个10uF 电容器。 应该再增加2个、总共增加4个? 请参见下图。"

    -是的。 就像 EVM 上的 C10、C11和 C28、C29一样

    ' EVM 原理图未在高侧开关 FET 的漏极上显示额外的0.1uF 电容器。 电容器的另一侧会走到什么位置? 接地? VCCTM

    -0.1uF 或1uF (基于电压)额定电容 应靠近高侧 FET 的漏极和低侧 FET 的源极放置、以滤除高频开关噪声。

    "在 BTST 引脚和 C68之间添加10 Ω 串联电阻器"

    -看起来不错。

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    你好。

    我们刚刚与客户回顾了电池电路更新、并提出了以下问题:  

    看起来、10欧姆电阻器会限制高侧 FET 驱动器的电源输入、并将 BTST 和 PH 两端的电压降低一位。

    与 BTST 引脚串联的10 Ω 电阻器有什么优势?

    谢谢!

    JC

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    你好。

    我随函附上了10欧姆串联 BTST 引脚的高侧驱动器的性能的快速调查。  

    它对电池充电器的整体性能的影响似乎很小。

    就开关特性而言、它似乎比有益更有害。

    您是否同意此评估?

    e2e.ti.com/.../10-Ohms-in-series-with-BTST-pin.pdf

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    e2e.ti.com/.../3146.10-Ohms-in-series-with-BTST-pin.pdfPDF更新:在最后几页中、基线与使用10欧姆电阻器进行修改的比较存在错误。

    请参见随附的。

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    添加10欧姆电阻器会减慢高侧 MOSFET 的下降沿、以帮助防止击穿。
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    好的、我会购买它。

    将电阻器与 HIDRV 引脚保持一致而不是与 BTST 保持一致是否更好?
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    你好。

    我已经测量了与 PH (以及 LODRV)相关的 HIDRV 上升和下降时间、以发现这10欧姆有助于防止击穿。

    从我看到的10欧姆对 HIDRV 相对于 PH 的下降时间没有影响、只有上升时间受到影响。

    另请注意、如果 HIDRV 的下降沿相对于 PH 减速、则可能会导致击穿。

    请参阅附件、确认或反驳我的调查结果。

    谢谢、

    e2e.ti.com/.../HIDRV-Risetime-and-Falltime-Measurements.pdf

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    是的、你是对的。 很抱歉造成混淆。 当 HIDRV 导通时、CBTST 电容用于为高侧 FET 的 Qg 充电。 因此、10 Ω 电阻器用于限制高侧 FET 的电流充电 Qg。 这会减慢高侧 FET 的导通速度、从而减少高侧 FET 导通时的振铃。 这是否能回答您的问题?
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    可以了。

    再次感谢!